[实用新型]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 201922244814.0 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN210723034U | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 刘明星;冯士振;韩冰;甘帅燕;赵晶晶 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本实用新型公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括:显示区和围绕显示区的过渡区,显示区包括中央显示区和边缘显示区,过渡区位于非显示区内;中央显示区和过渡区中均包括子像素A1‑An,子像素A1‑An组合形成发光单元,边缘显示区中包括子像素A1‑An中的至少一种,n为大于等于3的整数;每个子像素均包括阳极;其中,位于过渡区的子像素不发光,且至少一个位于边缘显示区的子像素的阳极和至少一个位于过渡区中与其相应的子像素的阳极电连接。该显示面板能够降低边缘像素的亮度,改善单边偏色的现象。
技术领域
本实用新型实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示技术是一种极具发展前景的显示技术,利用该技术制作的显示面板具有自发光、超轻薄、宽视角、响应速度快、低功耗及可实现柔性显示等优点,被广泛应用于显示领域。
目前,随着OLED显示面板的像素排列多元化,很多显示面板的边缘会多出半个或者一个子像素,导致在显示时出现单边偏色的现象。因此,如何减弱OLED显示面板的单边偏色现象是提高OLED显示面板的显示效果所要解决的重要问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种显示面板及显示装置,能够降低边缘像素的亮度,改善显示面板单边偏色的现象。
第一方面,本实用新型实施例提供了一种显示面板,包括显示区和围绕显示区的过渡区,显示区包括中央显示区和边缘显示区,过渡区位于非显示区内;
中央显示区和过渡区中均包括子像素A1-An,子像素A1-An组合形成发光单元,边缘显示区中包括子像素A1-An中的至少一种,n为大于等于3的整数;每个子像素均包括阳极;
其中,位于过渡区的子像素不发光,且至少一个位于边缘显示区的子像素的阳极和至少一个位于过渡区中与其相应的子像素的阳极电连接。
可选的,每个子像素均包括与阳极叠层设置的阴极和发光层,发光层位于阴极和阳极之间;
其中,在过渡区中,至少与位于边缘显示区的子像素的阳极电连接的子像素还包括遮光层,遮光层叠层设置在发光层的出光侧。
可选的,每个子像素均包括与阳极叠层设置的阴极,
其中,位于中央显示区和边缘显示区的子像素还包括叠层设置在阴极和阳极之间的发光层;在过渡区中,至少与位于边缘显示区的子像素的阳极电连接的子像素不包括发光层。
可选的,每个位于边缘显示区的子像素的阳极均与一个位于过渡区中与其相应的子像素的阳极电连接。
可选的,每个位于边缘显示区的子像素的阳极均与一个离该子像素距离最近的位于过渡区中与其相应的子像素的阳极电连接。
可选的,若边缘显示区中包括子像素A1-An中的一种,则位于边缘显示区中的子像素发出蓝光;
若边缘显示区中包括子像素A1-An中的两种,则其中一种子像素发出蓝光,另一种子像素发出绿光或红光。
可选的,子像素包括呈阵列排布的多个像素大组,每个像素大组包括第一像素小组和第二像素小组,第一像素小组和第二像素小组均包括子像素A1-A3;
在每个像素大组中,第一像素小组和第二像素小组在第一方向上相邻设置且在第二方向上相互错位,第一方向与第二方向垂直。
可选的,对于每个像素大组,第一像素小组和第二像素小组的子像素A1-A3以相同的顺序沿第二方向重复排列。
可选的,第一方向为行方向,第二方向为列方向;或者,第一方向为列方向,第二方向为行方向。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷(固安)科技有限公司,未经云谷(固安)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922244814.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的