[实用新型]用于去除杂质的基板处理装置有效
| 申请号: | 201922236987.8 | 申请日: | 2019-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN211125592U | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
| 发明(设计)人: | 白承大;金康元;金成烨 | 申请(专利权)人: | 杰宜斯科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁小龙 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 去除 杂质 处理 装置 | ||
1.一种用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,包括:
支承主体部,用于支承基板;以及
喷嘴部,设置在与所述基板相对的位置,朝向所述基板喷射工作液体,从而去除杂质。
2.根据权利要求1所述的用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,所述支承主体部包括:
基底部,位于所述喷嘴部的下侧;以及
基板支承部,从所述基底部突出而支承所述基板。
3.根据权利要求1所述的用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,所述喷嘴部包括:
中央主体部,从所述支承主体部朝设置有所述基板的方向突出;以及
洗涤喷嘴部,向所述中央主体部的一侧延伸并且向所述基板喷射工作液体。
4.根据权利要求3所述的用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,所述洗涤喷嘴部包括:
第一供给部,具备朝向所述基板喷射洗涤液的多个第一喷嘴;以及
第二供给部,具备朝向所述基板喷射冲洗液的多个第二喷嘴。
5.根据权利要求3所述的用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,所述洗涤喷嘴部以朝所述基板喷射的喷嘴的喷射区域彼此重叠的方式进行喷射。
6.根据权利要求3所述的用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,
在从最接近所述基板的外围的喷嘴喷射药液时,所述洗涤喷嘴部朝向比配置在最接近所述基板的外围的位置的芯片更靠外的外侧喷射药液。
7.根据权利要求3所述的用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,
在从最接近所述基板的中心的喷嘴喷射药液时,所述洗涤喷嘴部将药液喷射到以所述最接近的喷嘴为基准超过所述基板的中心的区域。
8.根据权利要求3所述的用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,还包括:
干燥喷嘴部,与所述中央主体部连接并且朝所述基板喷射干燥气体。
9.根据权利要求8所述的用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,
所述干燥喷嘴部包括:
干燥喷嘴主体,朝向所述中央主体部的侧方延伸并且位于所述基板的下侧;以及
排出引导部,沿与所述基板相对的所述干燥喷嘴主体具备排出干燥气体的多个喷射孔。
10.根据权利要求9所述的用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,
所述排出引导部包括:
第一排出管道,连接于设置在所述干燥喷嘴主体的内侧的主管道并且向竖直方向上侧延伸;以及
第二排出管道,连接于所述主管道并且向斜上方延伸。
11.根据权利要求10所述的用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,
沿所述干燥喷嘴主体的长度方向设置有多个所述第一排出管道,
所述第二排出管道位于所述干燥喷嘴主体的两侧。
12.根据权利要求1所述的用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,
所述基板被翻转成设置有芯片的一面朝向所述喷嘴部,从而放置在所述支承主体部。
13.根据权利要求1所述的用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,
被设置成所述基板和所述支承主体部进行旋转且所述喷嘴部静止的状态。
14.根据权利要求1所述的用于去除杂质的基板处理装置,其特征在于,
被设置成所述喷嘴部进行旋转且所述基板和所述支承主体部静止的状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





