[实用新型]一种硅晶圆金属掩模板

说明书

本实用新型公开了一种硅晶圆金属掩模板，其特征在于：包括设于所述掩模板上的掩模开孔，所述掩模开孔之间设有分隔的掩模块，所述掩模块包括掩模块本体，所述掩模块本体与基板贴合的一侧边缘设有向外侧延伸的延伸边沿。本实用新型硅晶圆金属掩模板，结构简单，可有效避免基板上材料堆积，提升产品性能，具有较强的实用性和较好的应用前景。

技术领域

本实用新型属于微显示技术领域，更具体地说，涉及一种硅晶圆金属掩模板。

背景技术

真空蒸镀时，材料受热蒸发遇冷沉积，基板与掩模板紧贴，会有部分材料沉积到基板与掩模板接触位置。随着掩模板使用次数增多，在掩模板与基板接触位置会堆积大量的有机材料，而导致产品的交叉污染和粒子数增多，影响产品性能及封装效果。

实用新型内容

本实用新型的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种结构简单，可有效避免基板上材料堆积，提升产品性能的硅晶圆金属掩模板。

为了实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：所提供的这种硅晶圆金属掩模板，包括设于所述掩模板上的掩模开孔，所述掩模开孔之间设有分隔的掩模块，所述掩模块包括掩模块本体，所述掩模块本体与基板贴合的一侧边缘设有向外侧延伸的延伸边沿。

为使上述技术方案更加详尽和具体，本实用新型还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：

所述掩模板本体设有所述延伸边沿的一侧向内收形成梯形结构。

所述掩模开孔为矩形结构，所述掩模开孔的四边均设有相互连接形成一体的掩模块。

所述掩模块上与所述掩模开孔相对的侧边均设有延伸边沿。

所述掩模板上设有多个间隔排布的掩模开孔。

所述掩模块本体厚度100um。

所述延伸边沿延伸长度30～50um，所述延伸边沿厚度10～30um。

本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：本实用新型硅晶圆金属掩模板，结构简单，可有效避免基板上材料堆积，提升产品性能，具有较强的实用性和较好的应用前景。

附图说明

下面对本说明书的附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：

图1为本实用新型硅晶圆金属掩模板使用结构示意图；

图2为本实用新型硅晶圆金属掩模板结构示意图；

图中标记为：1、基板，2、掩模板，21、掩模块，211、掩模块本体， 212、延伸边沿，22、掩模开孔。

具体实施方式

下面对照附图，通过对实施例的描述，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。

本实用新型这种硅晶圆金属掩模板，如图1、2中所示，包括设于掩模板2上的掩模开孔22，掩模开孔22之间设有起分隔掩模开孔作用的掩模块 21，掩模块21包括掩模块本体211，掩模块本体211与基板1贴合的一侧边缘设有向外侧延伸的延伸边沿212。本实用新型此种结构设计的掩模板2应用在蒸镀使用中，进行蒸镀时，材料会沉积在延伸边沿区，可有效的避免基板1与掩模板2接触位置处的材料堆积，提升产品品质。

本实用新型中，如图1中所示，掩模板本体211设有延伸边沿的一侧向内收形成梯形结构。此结构的设计可有利于延伸边沿212结构的布置，且有利于引导材料堆积至延伸边沿上，避免与基板的交叉污染。

本实用新型中，掩模开孔22为矩形结构，掩模开孔的四边均设有相互连接形成一体的掩模块21。掩模块21上与掩模开孔22相对的侧边均设有延伸边沿212，即在四周均形成有效保护。