[实用新型]阵列基板、显示面板有效
申请号: | 201922146145.3 | 申请日: | 2019-12-04 |
公开(公告)号: | CN210489622U | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 李永谦;袁粲;王东方 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
本实用新型提供一种阵列基板、显示面板,属于显示技术领域,其可至少部分解决现有的阵列基板中驱动电路结构占用空间大的问题。本实用新型的一种阵列基板,包括基底以及位于基底上的第一晶体管、第二晶体管、发光结构,第一晶体管用于控制发光结构发光,第二晶体管用于控制第一晶体管的导通,其中,第一晶体管为顶栅型晶体管,第二晶体管为底栅型晶体管。
技术领域
本实用新型属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、显示面板。
背景技术
现有技术的显示面板中一般通过驱动电路来实现显示面板的显示,其中,驱动电路中至少包括多个晶体管(如驱动晶体管、开关晶体管等)以及存储电容。为了制备方便,同一显示面板的多个晶体管均为顶栅型晶体管或者底栅型晶体管,这样的驱动电路结构占用的空间比较大,从而会导致影响显示面板的分辨率(PPI)、使得存储电容的空间小、影响开口率等问题。
实用新型内容
本实用新型至少部分解决现有的阵列基板中驱动电路结构占用空间大的问题,提供一种驱动电路结构占用空间小的阵列基板。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板,包括基底以及位于所述基底上的第一晶体管、第二晶体管、发光结构,
所述第一晶体管用于控制所述发光结构发光,所述第二晶体管用于控制所述第一晶体管的导通,其中,所述第一晶体管为顶栅型晶体管,所述第二晶体管为底栅型晶体管。
进一步优选的是,该阵列基板还包括:位于所述基底上的第一导电层,所述第一导电层与所述第二晶体管的第一极连接,所述第一导电层与所述第一晶体管的栅极连接且同层设置,所述第一晶体管的有源层和所述第二晶体管的有源层同层设置,所述第一晶体管的栅极设于其有源层远离所述基底的一侧,所述第二晶体管的栅极设于其有源层靠近所述基底的一侧。
进一步优选的是,该阵列基板还包括:第一控制线,与所述第二晶体管的栅极连接且同层设置,且所述第一控制线的长度方向与所述第二晶体管的第一极指向所述第二晶体管的第二极的方向平行。
进一步优选的是,该阵列基板还包括:位于所述基底上的第三晶体管,用于向所述发光结构提供检测信号,所述第三晶体管为底栅型晶体管。
进一步优选的是,该阵列基板还包括:第二控制线,与所述第三晶体管的栅极连接且同层设置,且所述第二控制线的长度方向与所述第三晶体管的第一极指向所述第二晶体管的第二极的方向平行。
进一步优选的是,该阵列基板还包括:第二导电层,与所述第一晶体管的第二极连接且同层设置;第三导电层,与所述第二晶体管的栅极同层设置,至少部分所述第三导电层在所述基底上的投影与所述第二导电层在所述基底上的投影重叠,以形成存储电容。
进一步优选的是,所述第三晶体管的栅极与所述第三导电层同层设置,所述第三晶体管的第一极与所述第二导电层连接且同层设置。
进一步优选的是,该阵列基板还包括:数据线,与所述第二晶体管的第二极连接,所述数据线与所述第一导电层同层设置;电压线,与所述第一晶体管的第一极连接,所述电压线与所述第一导电层同层设置;检测线,与所述第三晶体管的第二极连接。
进一步优选的是,所述发光结构设置于所述第二导电层远离所述基底的一侧,所述第二导电层与所述发光结构的电极层连接。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种显示面板,包括上述的阵列基板。
进一步优选的是,所述显示面板为有机发光二极管显示面板。
附图说明
附图是用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型,但并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1为现有技术的阵列基板中的晶体管与控制线的俯视结构图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的