[实用新型]微型流体致动器有效
申请号: | 201921988051.4 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN210949070U | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 莫皓然;戴贤忠;方麟辉;韩永隆;黄启峰;郭俊毅;林宗义 | 申请(专利权)人: | 研能科技股份有限公司 |
主分类号: | F04B45/047 | 分类号: | F04B45/047;F04B39/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 喻学兵 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 流体 致动器 | ||
1.一种微型流体致动器,其特征在于,包含:
一基板,具有至少一进气孔;
一腔室层,形成于该基板上,具有:
一第一腔室,连接至该至少一进气孔;
一共振薄层,具有一中心通孔,该中心通孔连通于该第一腔室;以及
一第二腔室,与该第一腔室对应,并通过该中心通孔与该第一腔室连通;
一承载层,形成于该腔室层上,具有:
一固定区,形成于该腔室层;
一振动区,位于该固定区中央,并与该第二腔室对应;
至少一连接部,连接于该固定区与该振动区之间;以及
至少一通孔,形成于该固定区、该振动区及该至少一连接部之间;以及
一压电组件,形成于该振动区。
2.如权利要求1所述的微型流体致动器,其特征在于,该腔室层包含由一保护层结构及多个金属层结构所形成。
3.如权利要求2所述的微型流体致动器,其特征在于,该腔室层包含一绝缘层、一多晶硅层,该绝缘层形成于该基板上,该多晶硅层形成于该绝缘层上,该保护层结构与该多个金属层结构形成于该多晶硅层上。
4.如权利要求3所述的微型流体致动器,其特征在于,该共振薄层由该多晶硅层所形成。
5.如权利要求2或3中任一项所述的微型流体致动器,其特征在于,该共振薄层由该保护层结构形成。
6.如权利要求2或3中任一项所述的微型流体致动器,其特征在于,该共振薄层由该保护层结构与该多个金属层结构其中之一形成。
7.如权利要求1所述的微型流体致动器,其特征在于,该腔室层包含一绝缘层、一第一多晶硅层、一第一保护层结构、一第二多晶硅层、一第二保护层结构及多个金属层,该绝缘层形成于该基板上,该第一多晶硅层形成于该绝缘层上,该第一保护层结构形成于该第一多晶硅层上,该第二多晶硅层形成于该第一保护层结构上,该第二保护层结构与该多个金属层形成于该第二多晶硅层上,其中,该共振薄层由该第一多晶硅层、该第一保护层结构及该第二多晶硅层所形成。
8.如权利要求1所述的微型流体致动器,其特征在于,该压电组件更包含了:
一下电极层;
一压电层,叠置于该下电极层;以及
一上电极层,叠置于该压电层,与该压电层电性连接。
9.如权利要求1所述的微型流体致动器,其特征在于,更包含一第一阀结构,该第一阀结构通过一第一干膜固定于该基板。
10.如权利要求1所述的微型流体致动器,其特征在于,更包含一第二阀结构,该第二阀结构通过一第二干膜固定于该固定区。
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