[实用新型]新型离子研磨系统平面加工样品水平方向上的定位结构

说明书

本实用新型的一种新型离子研磨系统平面加工样品水平方向上的定位结构，配合样品定位座设置，样品定位座上设置一样品载板，其特征在于：包括样品定位架，样品定位架在朝向样品定位座一面设置样品承载夹具，样品承载夹具包括样品定位架上设置的若干在垂直方向上竖立的样品调节螺丝，样品定位架上设有若干滑槽，滑槽自样品定位架内侧向外侧延伸，样品调节螺丝在滑槽滑动以适应不同大小的样品；样品调节螺丝配设一样品夹块，样品夹块固定安装在样品调节螺丝下端以夹持样品，样品调节螺丝在滑槽滑动以带动样品夹块夹持不同大小样品。本实用新型的样品定位一次完成，不用反复操作，节省定位时间。

技术领域

本实用新型涉及一种定位装置，具体涉及新型离子研磨系统平面加工样品水平方向上的定位结构。

背景技术

离子研磨仪作为扫描电子显微镜的样品制备装置，被广泛应用于材料和半导体等诸多领域。离子研磨仪常用到的离子研磨法是利用通过电场加速过的离子轰击样品表面，在样品表面产生溅射效应，由此制备尺度为毫米级别的平滑表面的研磨方法。离子研磨法有平面研磨和截面研磨两种。半导体、电气和电子零配件、软材料等SEM观察对象的内部构造日益变得复杂，因此对于离子研磨仪的要求也越来越高，特别是对研磨速率提出了更高的要求。

氩气属于惰性气体，基本不会和样品发生化学反应，因此通常我们采用Ar作为离子源轰击样品。当前的平面研磨法是将氩离子束倾斜照射到样品表面，并将氩离子束中心和样品旋转中心进行偏心调整，实现广域加工的方法。氩离子束的照射角度(θ)可设置为0°～90°4’，当照射角度≥80°时，离子束照射角度与样品加工面近乎平行，因此，可以减少由于晶体取向和成分蚀刻速率差造成的凹凸不平，形成相对平滑的加工面。这种方法常用于去除机械研磨加工对树脂包埋样品造成的研磨痕迹，实现样品的精加工。当照射角度较小时，可以利用蚀刻速率差，凸显样品的凹凸特性。通过样品表面的凹凸形貌，判断多层膜的层结构等。

目前，仅采用机械研磨加工会造成样品污染，很难清晰的观察到晶粒；而采用平面研磨法可有效去除研磨材料残渣和机械研磨时产生的痕迹，可以十分清晰的观察到晶粒，平面研磨法成为当前较多的选择。

目前离子研磨系统平面研磨样品放置及定位方式采用在样品载板上贴导电双面胶带，将样品粘于胶带上，使用十字定位盖确认样品是否在中心点，样品不在中心点时，需要重新粘贴样品，再用定位罩确认，反复操作直至样品待研磨区域处于十字点中心。此操作方法需要反复定位，不能一次操作完成，非常耗时。

发明内容

本实用新型的主要目的在于克服现有离子研磨系统平面研磨样品定位方式的不足，提供一种样品定位一次完成，不用反复操作，节省定位时间的新型离子研磨系统平面加工样品水平方向上的定位结构。

为实现上述目的，本实用新型的新型离子研磨系统平面加工样品水平方向上的定位结构，配合样品定位座设置，所述样品定位座上设置一样品载板，包括样品定位架，所述样品定位架在朝向样品定位座一面设置样品承载夹具，所述样品承载夹具包括样品定位架上设置的若干在垂直方向上竖立的样品调节螺丝，样品定位架上设有若干滑槽，所述滑槽自样品定位架内侧向外侧延伸，样品调节螺丝在滑槽滑动以适应不同大小的样品；

所述样品调节螺丝配设一样品夹块，所述样品夹块固定安装在所述样品调节螺丝下端以夹持样品，样品调节螺丝在滑槽滑动以带动样品夹块夹持不同大小样品；

所述样品承载夹具配设升降结构将样品放置在样品载板，所述样品承载夹具夹持样品在指定待研磨区域并通过升降结构将样品放置在样品定位座预设的待研磨区域。

进一步地，所述样品夹块在夹持物品一侧设置齿牙防止样品滑脱。

进一步地，所述滑槽设置4个，且各所述滑槽对称设置。

进一步地，所述样品定位架选用配合样品定位座的样品定位罩。