[实用新型]一种适用于毫米波频段的高速开关有效
| 申请号: | 201921948616.6 | 申请日: | 2019-11-12 |
| 公开(公告)号: | CN210327526U | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
| 发明(设计)人: | 叶松;丁川;姜丹丹;李富民;龚靖;陶健;管正 | 申请(专利权)人: | 成都铱通科技有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/693 | 分类号: | H03K17/693 |
| 代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 李蕊 |
| 地址: | 610000 四川省成都市高新区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 适用于 毫米波 频段 高速 开关 | ||
1.一种适用于毫米波频段的高速开关,其特征在于,包括均与高速开关输入端连接的上开关通路和下开关通路;
所述上开关通路与所述下开关通路中均通过传输线形成阻抗匹配电路;
所述上开关通路和下开关通路中均设置有电压控制开关;
所述上开关通路通过电压控制开关与所述下开关通路相互连接。
2.根据权利要求1所述的适用于毫米波频段的高速开关,其特征在于,所述电压控制开关包括上电压控制开关SW1和下电压控制开关SW2;
所述上开关通路包括传输线CPW1;
所述传输线CPW1的一端作为高速开关的输入端In,所述传输线CPW1的另一端分别与MOS管Mn1的漏极、电阻R1的一端和传输线CPW3的一端连接,所述MOS管Mn1的栅极与电阻Rg1的一端连接,所述电阻Rg1的另一端与上电压控制开关SW1连接,所述MOS管Mn1的源极接地,所述MOS管Mn1的体硅与接地电阻Rb1连接,所述电阻R1的另一端与所述下电压控制开关SW2连接,所述传输线CPW3的另一端接地,所述传输线CPW1的另一端作为上开关通路的输出端Out1;
所述下开关通路包括传输线CPW2;
所述传输线CPW2的一端作为高速开关的输入端In,所述传输线CPW2的另一端分别与MOS管Mn2的漏极、电阻R2的一端和传输线CPW4的一端连接,所述MOS管Mn2的栅极通过电阻Rg2与下电压控制开关SW2连接,所述MOS管Mn2的体硅与接地电阻Rb2连接,所述MOS管Mn2的源极接地;所述电阻R2的另一端与上电压控制开关SW1连接,所述传输线CPW4的另一端接地,所述传输线CPW2的另一端作为下开关通路的输出端Out2。
3.根据权利要求2所述的适用于毫米波频段的高速开关,其特征在于,所述上开关通过中的传输线CPW1和传输CPW3形成阻抗匹配电路;
所述下开关通路中的传输线CPW2和传输线CPW4形成阻抗匹配电路。
4.根据权利要求2所述的适用于毫米波频段的高速开关,其特征在于,所述传输线CPW1、传输线CPW2、传输线CPW3和传输线CPW4的特征阻抗均为55Ω;
所述传输线CPW1和传输线CPW2的长度范围为180~230um;
所述传输线CPW3的长度范围为180~230um;
所述传输线CPW4的长度范围为90~120um。
5.根据权利要求2所述适用于毫米波频段的高速开关,其特征在于,所述电阻Rg1、电阻Rg2、电阻Rb1和电阻Rb2的阻值为10kΩ。
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