[实用新型]逆止阀及半导体设备有效
申请号: | 201921864390.1 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN211010020U | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 檀忠毅;罗义波 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | F16K15/08 | 分类号: | F16K15/08;F16K27/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 逆止阀 半导体设备 | ||
本实用新型提供了一种逆止阀及半导体设备,逆止阀安装在排气管路上,包括阀腔及设置于阀腔内的阀芯,阀芯包括阀片及环形的承载座,所述承载座内设置有若干支撑柱,至少一个所述支撑柱与所述阀片连接,由于进口端和出口端之间存在压差,所述阀片会遮盖所述承载座的通孔,当真空泵停机时,在介质的驱动下,与所述阀片连接的支撑柱在所述承载座内垂向移动以使所述阀片迅速遮盖所述进口端,能够及时、快速的防止排气管路中的废气或副产物进入反应腔中,提高产品的良率;并且,由于阀片放置在支撑柱上,可以减少阀片和承载座之件的副产物堆积,支撑柱设置在承载座内,也不会附着副产物,可以避免阀片动作异常,延长逆止阀的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及半导体制备技术领域,尤其涉及一种逆止阀及半导体设备。
背景技术
在半导体制备工艺中,通常会将晶圆置于反应腔中进行处理,例如进行成膜、刻蚀或清洗等,反应腔连接有进气管路和排气管路,进气管路用于在反应腔中通入反应气体,排气管路用于将反应腔中的废气排出,在排气管路的末端连接有真空泵,真空泵用于形成低气压使反应腔中的废气被抽进排气管路中进而排出。然而,排气管路的关键部件发生故障(例如真空泵在发生故障)或者反应腔中发生异常(例如晶圆发生移位)时均会导致整个工艺过程停止,真空泵关闭,排气管路中的气体压力可能高于反应腔中的压力,导致排气管路的废气逆流进入反应腔中,同时,排气管路中的副产物、杂质颗粒及大量废气会回灌到反应腔中,导致产品被污染或者直接报废。
现有的排气管路中通常会安装一个真空阀件,以防止大量废气回灌,但是真空阀件开启或关闭需要较长的时间,无法及时、有效的阻绝废气和副产物回灌。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种逆止阀及半导体设备,以解决现有的真空阀件无法及时、有效的组织阻绝废气和副产物从排气管路回灌入反应腔中的问题。
为了达到上述目的,本实用新型提供了一种逆止阀,包括:
阀腔,包括供介质进出的进口端和出口端;
阀芯,设置于所述阀腔内,包括阀片及承载座,所述承载座内具有一通孔以使所述承载座呈环形,所述承载座内设置有若干支撑柱,所述阀片设置于所述支撑柱上,至少一个所述支撑柱与所述阀片连接,与所述阀片连接的支撑柱能够在所述承载座内垂向移动以使所述阀片遮盖所述通孔或遮盖所述进口端。
可选的,所述支撑柱周向均匀设置于所述承载座的环面内,且至少两个所述支撑柱与所述阀片连接。
可选的,所述承载座包括设置于所述通孔内的若干支撑架,所述支撑架沿所述承载座的径向分布且两端均与所述通孔的侧壁连接,所述支撑柱位于所述支撑架内。
可选的,所述支撑柱包括第一支撑柱和若干第二支撑柱,所述第一支撑柱位于若干所述支撑架的交点处,且所述第一支撑柱与所述阀片连接;所述第二支撑柱位于每个所述支撑架的中心与端部之间的区域内。
可选的,所述承载座内设置有若干预留孔,一个所述支撑柱插入一个所述预留孔以形成间隙配合。
可选的,所述支撑柱的至少一端伸出所述预留孔,并使所述阀片与所述承载座之间具有第一间隙。
可选的,所述承载座的表面具有至少一个凸出部,与所述阀片连接的支撑柱伸出所述承载座的端部被所述凸出部包覆。
可选的,所述承载座的环面上还设置有若干穿孔。
可选的,所述承载座的外壁与所述阀腔的内壁之间具有第二间隙,所述介质从进口端进入后,至少通过所述第二间隙从所述出口端流出。
本实用新型还提供了一种半导体设备,包括反应腔及真空泵,所述反应腔与所述真空泵之间通过排气管路连接,所述排气管路上设置有所述的逆止阀。
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