[实用新型]一种增加集成芯片驱动电流的电路有效

专利信息
申请号: 201921716341.3 申请日: 2019-10-14
公开(公告)号: CN210669880U 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 夏志超 申请(专利权)人: 上海施能电器设备有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M3/155
代理公司: 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 代理人: 吕伴
地址: 201316 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 增加 集成 芯片 驱动 电流 电路
【说明书】:

实用新型公开的一种增加集成芯片驱动电流的电路,包括带自举驱动电路的模拟芯片,所述自举驱动电路由自举二极管、自举电容、储能电容、限流电阻组成,其还包括由第一、第二、第三、第四三极管、第一、第二大功率场效应管、第一、第二推挽电路驱动电阻、第一、第二下拉电阻、第一、二大功率场效应管的驱动电阻构成的用以增加模拟芯片驱动电流的推挽式驱动电路。本实用新型通过对第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管选择电流较大的NPN型和PNP型三极管,可灵活增加模拟控制芯片的驱动能力,以解决在大功率应用场合下,模拟芯片驱动能力不足的问题。

技术领域

本实用新型涉及开关电源技术领域,特别涉及一种应用于开关电源中的增加集成芯片驱动电流的电路。

背景技术

在开关电源应用场景中,大量的使用到模拟控制芯片。在针对某些特定的电路拓扑结构时如半桥式LLC电路,常常这样的模拟控制芯片自身包含自举驱动电路,如NCP1397、TEA1716等,以驱动电路工作。通过这些模拟控制芯片直接驱动常常应用在中小功率场合。

在一些大功率应用场合下,常常需要使用寄生电容比较大的大功率场效应管,这些大功率场效应管需要有较大的驱动电流才能满足设计需求,但是这些模拟控制芯片自身驱动电路的输出驱动电流能力又十分有限。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于针对现有模拟控制芯片自身驱动电路的输出驱动电流能力又十分有限的问题,为了增加这些模拟控制芯片的驱动能力而提供一种增加集成芯片驱动电流的电路,以解决这样的难题。

本实用新型所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现:

一种增加集成芯片驱动电流的电路,包括带自举驱动电路的模拟芯片,所述自举驱动电路由自举二极管、自举电容、储能电容、限流电阻组成,自举二极管的负极通过限流电阻接入模拟芯片的Vboot脚,自举二极管的正极接-15V,自举电容一端接模拟芯片的Vboot脚,另一端接模拟芯片的HB脚,储能电容的一端接地,储能电容的另一端-15V;其特征在于,还包括由第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一大功率场效应管、第二大功率场效应管、第一推挽电路驱动电阻、第二推挽电路驱动电阻、第一下拉电阻、第二下拉电阻、第一大功率场效应管的驱动电阻和第二大功率场效应管的驱动电阻构成的用以增加模拟芯片驱动电流的推挽式驱动电路,其中第一大功率场效应管的漏极接VCC,第一大功率场效应管的栅极接第一大功率场效应管的驱动电阻的一端,第一大功率场效应管的源极接模拟芯片的HB脚;第二大功率场效应管的漏极接模拟芯片的HB脚,第二大功率场效应管的栅极接第二大功率场效应管的驱动电阻的一端,第二大功率场效应管的源极接地;第一三极管的集电极接模拟芯片的Vboot脚,第一三极管的基极接第一推挽电路驱动电阻的一端,第一推挽电路驱动电阻的另一端接模拟芯片的Mupper脚,第一三极管的发射极接第一大功率场效应管的驱动电阻的另一端;第二三极管的集电极接模拟芯片的HB脚,第二三极管的基极接第一推挽电路驱动电阻的一端,第二三极管的发射极接第一大功率场效应管的驱动电阻的另一端;第一下拉电阻的一端接模拟芯片的Mupper脚,另一端接模拟芯片的HB脚;第三三极管的集电极接-15V,第三三极管的基极接第二推挽电路驱动电阻的一端,第二推挽电路驱动电阻的另一端接模拟芯片的Mlower脚,第三三极管的发射极接第二大功率场效应管的驱动电阻的另一端;第四三极管的集电极接地,第四三极管的基极接第二推挽电路驱动电阻的一端,第四三极管的发射级接地;第二下拉电阻的一端接第二推挽电路驱动电阻的一端,第二下拉电阻的另一端接地;模拟芯片的GND脚接地。

在本实用新型的一个优选实施例中,所述第一三极管和第三三极管均为NPN型三极管,所述第二三极管和第四三极管均为PNP型三极管。

在本实用新型的一个优选实施例中,所述模拟芯片的型号为NCP1397

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