[实用新型]一种电能质量装置的存储系统

说明书

本实用新型公开了一种电能质量装置的存储系统，包括CPU、Nor Flash、DDR3、eMMC、铁电存储器；其中，所述Nor Flash的输入/输出端与所述CPU的第一输入/输出端连接，所述DDR3的输入/输出端与所述CPU的第二输入/输出端连接，所述eMMC的输入/输出端与所述CPU的第三输入/输出端连接，所述铁电存储器的输入/输出端与所述CPU的第四输入/输出端连接。本实用新型通过使用多种存储介质的组合，按功能和数据重要程度来独立存储数据，使电能质量装置运行更稳定，数据存储更可靠。

技术领域

本实用新型涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种电能质量装置的存储系统。

背景技术

目前，随着电网的快速发展，用户用电的需求增大且对电能质量的要求越来越高，使得电能质量装置得到广泛应用。电能质量装置在电网当中主要进行电能质量的监测，由于电网属于工业环境，现场电磁兼容(EMC)环境较复杂，导致电能质量装置在监测时会产生大量的波形文件和PQ数据，使得现有的电能质量装置在运行时会出现内部程序和存储数据相互冲突和混乱的现象，所以一个可靠稳定的存储系统显得尤为重要。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的是提供一种电能质量装置的存储系统，通过使用多种存储介质的组合，按功能和数据重要程度来独立存储数据，使电能质量装置运行更稳定，数据存储更可靠。

为实现上述目的，本实用新型一实施例提供了一种电能质量装置的存储系统，包括CPU、Nor Flash、DDR3、eMMC、铁电存储器；其中，所述Nor Flash的输入/输出端与所述CPU的第一输入/输出端连接，所述DDR3的输入/输出端与所述CPU的第二输入/输出端连接，所述eMMC的输入/输出端与所述CPU的第三输入/输出端连接，所述铁电存储器的输入/输出端与所述CPU的第四输入/输出端连接。

优选地，所述Nor Flash通过第一SPI接口与所述CPU进行数据交互。

优选地，所述DDR3通过DDR3控制器与所述CPU进行数据交互。

优选地，所述eMMC通过MMC接口与所述CPU进行数据交互。

优选地，所述铁电存储器通过第二SPI接口与所述CPU进行数据交互。

与现有技术相比，本实用新型实施例所提供的一种电能质量装置的存储系统，通过使用多种存储介质的组合，按功能和数据重要程度来独立存储数据，从而使电能质量装置的数据存储更独立和重要参数存储更可靠。

附图说明

图1是本实用新型一实施例提供的一种电能质量装置的存储系统的结构示意图；

图2是本实用新型另一实施例提供的一种电能质量装置的存储系统的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

参见图1，是本实用新型一实施例提供的一种电能质量装置的存储系统的结构示意图，所述存储系统包括CPU、Nor Flash、DDR3、eMMC、铁电存储器；其中，所述Nor Flash的输入/输出端与所述CPU的第一输入/输出端连接，所述DDR3的输入/输出端与所述CPU的第二输入/输出端连接，所述eMMC的输入/输出端与所述CPU的第三输入/输出端连接，所述铁电存储器的输入/输出端与所述CPU的第四输入/输出端连接。