[实用新型]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；

多个浮栅，所述多个浮栅邻近所述半导体衬底的所述第一表面形成；

多个读出电路，其中所述多个浮栅中的每个浮栅耦接到所述多个读出电路中的相应读出电路；和

多个附加栅极，所述多个附加栅极邻近所述半导体衬底的所述第一表面形成，其中所述多个附加栅极的相应子集插置在每对相邻的浮栅之间。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，每个浮栅的电压取决于在所述半导体衬底中邻近所述浮栅处聚积的电荷量。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括：

栅极氧化物，所述栅极氧化物形成在所述第一表面上，其中所述多个浮栅形成在所述栅极氧化物上。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述半导体衬底为第一半导体衬底，所述图像传感器还包括：

第二半导体衬底，其中所述多个读出电路形成在所述第二半导体衬底中；

多个金属互连层，其中每个金属互连层耦接在相应的浮栅和相应的读出电路之间，其中每个读出电路包括：

源极跟随器晶体管，所述源极跟随器晶体管耦接到相应的金属互连层；

重置晶体管，所述重置晶体管耦接到所述相应的金属互连层；

偏置电压源端子；和

行选择晶体管，其中所述源极跟随器晶体管耦接在所述偏置电压源端子和所述行选择晶体管之间。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述半导体衬底包括第一导电类型的掩埋沟道，所述第一导电类型的掩埋沟道邻近所述半导体衬底的第二导电类型的所述第一表面。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括：

所述半导体衬底中的所述第二导电类型的沟道阻绝层，其中所述多个附加栅极中的每个栅极在所述第二导电类型的多个沟道阻绝层上方延伸，并且其中所述多个浮栅中的每个浮栅形成在所述第二导电类型的相应的一对相邻的沟道阻绝层之间。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括：

浮动扩散区，所述浮动扩散区位于所述半导体衬底中，其中所述多个附加栅极中的栅极被配置为将电荷转移到所述浮动扩散区；

读出电路，所述读出电路耦接到所述浮动扩散区；和

重置栅极，所述重置栅极邻近所述半导体衬底的所述第一表面形成，其中所述重置栅极被配置为从所述浮动扩散区排出电荷，其中所述浮动扩散区形成在所述半导体衬底的周边处。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括：

多个溢出漏极，所述多个溢出漏极位于所述半导体衬底中，其中每个溢出漏极邻近选自以下项的相应的栅极：所述多个浮栅中的一个浮栅，所述多个附加栅极中的一个附加栅极。

9.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括多个电荷耦合器件；

多个栅极，所述多个栅极位于所述半导体衬底上，跨所述多个电荷耦合器件延伸；和

多个浮栅，所述多个浮栅位于所述半导体衬底上，其中所述多个浮栅中的每个浮栅包含在所述多个电荷耦合器件的相应电荷耦合器件内，并且其中每个浮栅的电压取决于在所述半导体衬底中邻近所述浮栅处聚积的电荷量。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述图像传感器还包括：

多个溢出漏极，所述多个溢出漏极位于所述半导体衬底中，其中每个溢出漏极邻近相应的浮栅，其中每个电荷耦合器件耦接到所述图像传感器的第一侧上的相应的第一浮动扩散输出区和所述图像传感器的相对的第二侧上的相应的第二浮动扩散输出区。