[实用新型]一种半导体设备

说明书

本实用新型一种半导体设备，包括：生长腔体；预热腔体，连接在所述生长腔体之前；至少一加热器，设置在所述预热腔体内，所述至少一加热器设置在基板的下方，通过所述至少一加热器对所述基板进行加热。本实用新型的半导体设备设计合理，结构简单，工作效率高。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，特别涉及一种半导体设备。

背景技术

随着集成电路生产技术的不断进步，电路芯片的集成度得到大幅提升。目前，在一片芯片中所集成的晶体管数量已经达到了惊人的几千万个，数量如此庞大的有源元件的信号集成需要多达十层以上的高密度金属互联层进行连接。因此，作为制备上述金属互联层的重要工艺，物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，以下简称PVD)技术得到了广泛应用。

薄膜沉积技术是泛半导体技术领域广泛采用的一项技术，如绝缘层和金属化导电层即是通过薄膜沉积技术获得。物理气相沉积装置是实现薄膜沉积技术的常用设备，其通过蒸发、离子束、溅射等手段获得薄膜。其中，溅射法沉积速率快，而且获得的薄膜致密性好、纯度高等特点，被业内普遍采用。但是现有的溅射法沉积例如ITO薄膜时，将基片的升温、沉积、冷却均在一个腔室内完成，往往效率不高，且膜层沉积不均匀，设备维护比较麻烦。且在基板上沉积ITO薄膜的过程中，ITO靶材很容易附着在腔室顶部，进而在反复使用时，使得腔室顶部的附着物越来越多，容易发生附着物掉落，进而影响顶部下的基板，造成基板上出现杂质影响膜层沉积，造成残品次品增多，影响生产进度，造成浪费。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本实用新型提出一种半导体设备，以提高镀膜的均匀性，简化工艺过程，提高产品质量。

为实现上述目的及其他目的，本实用新型提出一种半导体设备，该半导体设备包括：

生长腔体；

预热腔体，连接在所述生长腔体之前；

至少一加热器，设置在所述预热腔体内，至少一所述加热器设置在基板的下方，通过至少一所述加热器对所述基板进行加热。

在一实施例中，所述至少一加热器包括底盘及加热线圈，所述加热线圈设置在所述底盘内。

在一实施例中，所述底盘上设置有多个限位条，相邻两个所述限位条之间形成间隔腔体。

在一实施例中，多个所述限位条上设置有多个挡板，相邻两个所述挡板形成线槽。

在一实施例中，多个所述限位条的底部设有磁条。

在一实施例中，所述加热线圈设置在所述线槽内。

在一实施例中，所述预热腔体内还包括一测温装置。

在一实施例中，所述预热腔体还连接一真空泵。

在一实施例中，至少一所述加热器通过支架固定在所述预热腔体内。

在一实施例中，所述基板通过托盘设置在至少一所述加热器上方。

本实用新型提出一种半导体设备，通过将基板镀膜前在预热腔体内预热至一定的温度，使得基板在生长腔体的时间有效的减少，进而提高生长腔体的工作效率，同时减少了基板在生长腔体的停留时间，避免生长腔体内的残余靶材沉积在基板上，影响成膜的质量。

附图说明

图1：本实施例中提出的预热腔体的简要示意图。

图2：本实施例中底盘的俯视图。

图3：本实施例中加热线圈的俯视图。

图4：本实施例中加热器的剖视图。

图5：本实施例提出的半导体设备的简要示意图。