[实用新型]一种防反保护电路装置

说明书

一种防反保护电路装置，其可保证产品性能、降低投入成本和能耗，其包括电池，电池输出端VBAT分别连接二极管D1阴极、电容C1一端、电阻R1一端，金属‑氧化物半导体场效应晶体管源极，金属‑氧化物半导体场效应晶体管栅极分别连接电容C1另一端、电阻R1另一端、电阻R2一端、三级管集电极，三极管发射极连接二极管D1阳极，电阻R2另一端分别连接电容C2、C3一端、单片机2管脚，三极管Q1基极分别连接电容C2另一端、电阻R3一端，电阻R3另一端、电容C3另一端、单片机39管脚连接接地端GND，单片机的47管脚、金属‑氧化物半导体场效应晶体管M1漏极连接防反后端电压VDH，单片机内设置有升压模块，升压模块用于将电压升高，然后通过2管脚VCP输出。

技术领域

本实用新型涉及汽车电子控制系统技术领域，具体为一种防反保护电路装置。

背景技术

随着汽车制造行业的发展，尤其是新能源汽车行业的发展，使得汽车朝智能化、环保化发展。目前，汽车中都安装有电子控制单元，电子控制单元的供电系统主要包括车载电池，但是在整车制造和测试过程中，因受操作人员主观能动性影响或电子元件的接线标志错误、标志不清楚，易导致电子控制单元供电线路的电源线接反的情况出现，当电源线反接时，电子控制单元中的各个电子元件和电池极易因电压反向而击穿损坏，若不及时将反接电源切断，甚至可能出现工作人员触电等危险状况的发生，因此，电子控制单元中必须具有防反保护电路装置，目前常用的防反保护电路装置是电源线正极加P型金属-氧化物半导体金属-氧化物半导体场效应晶体管（PMOSFET）或者开关二极管来实现防反接，但是其应用范围较窄，一般只适用于小功率电子控制单元中，其投入成本提高，且该防反保护电路的前后级易产生较高的电势差，同时产生很多热量，使整个供电系统温度升高，各电子元件受高温影响，其性能会大大降低，从而无法满足客户对产品的简单化、低能耗、高性能的应用要求。

实用新型内容

针对现有技术中存在的在电源正极增加PMOSFET或开关二极管的防反保护方式的应用范围较窄，易使整个供电系统的温度升高、性能降低，无法满足客户对产品的简单化、低能耗、高性能应用要求的问题，本实用新型提供了一种防反保护电路装置，其可分别满足大功效、小功率供电系统应用场合，在保证产品性能的同时可降低投入成本和能耗。

一种防反保护电路装置，其包括金属-氧化物半导体场效应晶体管M1，其特征在于，其还包括单片机U，电池通过保护电路与所述单片机U连接，所述电池用于给所述单片机U供电，所述保护电路包括滤波电路、分压电路，所述滤波电路包括电容C1、C2，所述分压电路包括电阻R1、R2，所述电池的输出端VBAT分别连接二极管D1的阴极、电容C1的一端、电阻R1的一端、所述金属-氧化物半导体场效应晶体管M1的源极，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管M1的栅极分别连接所述电容C1的另一端、电阻R1的另一端、电阻R2的一端、三级管Q1的集电极，三极管Q1的发射极连接所述二极管D1的阳极，所述电阻R2的另一端分别连接电容C2、C3的一端、单片机U的2管脚，三极管Q1的基极分别连接所述电容C2的另一端、电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端、电容C3的另一端、单片机U的39管脚连接接地端GND，所述单片机的47管脚、金属-氧化物半导体场效应晶体管M1的漏极连接防反后端电压VDH，所述单片机U内设置有升压模块，所述升压模块用于将电压升高，然后通过2管脚VCP输出。

其进一步特征在于，所述单片机U的型号：TLE9879；

所述单片机U内封装有二极管D2，所述单片机U的2管脚连接所述二极管D2的阴极，所述二极管D2的阳极通过所述单片机的39管脚接地；

所述金属-氧化物半导体场效应晶体管M1的型号：IPD50N04S4-08。