[实用新型]一种防反保护电路装置有效

专利信息
申请号: 201921568165.3 申请日: 2019-09-20
公开(公告)号: CN210444015U 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 高金奎;刘飞飞;郑兵强 申请(专利权)人: 无锡麦道电子科技有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00;B60R16/02
代理公司: 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 代理人: 张宁;杨辰
地址: 214000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 防反 保护 电路 装置
【权利要求书】:

1.一种防反保护电路装置,其包括电池、金属-氧化物半导体场效应晶体管M1,其特征在于,其还包括单片机U,所述电池通过保护电路与所述单片机U连接,所述电池用于给所述单片机供电,所述保护电路包括滤波电路、分压电路,所述滤波电路包括电容C1、C2,所述分压电路包括电阻R1、R2,所述电池的输出端VBAT分别连接二极管D1的阴极、电容C1的一端、电阻R1的一端、所述金属-氧化物半导体场效应晶体管M1的源极,所述金属-氧化物半导体场效应晶体管M1的栅极分别连接所述电容C1的另一端、电阻R1的另一端、电阻R2的一端、三级管Q1的集电极,三极管Q1的发射极连接所述二极管D1的阳极,所述电阻R2的另一端分别连接电容C2、C3的一端、单片机U的2管脚,所述三极管Q1的基极分别连接所述电容C2的另一端、电阻R3的一端,所述电阻R3的另一端、电容C3的另一端、单片机U的39管脚连接接地端GND,所述单片机的47管脚、金属-氧化物半导体场效应晶体管M1的漏极连接防反后端电压VDH,所述单片机U内设置有升压模块,所述升压模块用于将电压升高,再通过2管脚VCP输出,所述金属-氧化物半导体场效应晶体管M1为N沟道型。

2.根据权利要求1所述的一种防反保护电路装置,其特征在于,所述单片机U内封装有二极管D2,所述单片机U的2管脚连接所述二极管D2的阴极,所述二极管D2的阳极通过所述单片机的39管脚接地。

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