[实用新型]减压干燥装置有效
申请号: | 201921478334.4 | 申请日: | 2019-09-05 |
公开(公告)号: | CN210156432U | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 林杰 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;F26B5/06 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 宋朝政 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减压 干燥 装置 | ||
1.一种减压干燥装置,用于干燥设有至少一像素坑的基板,其特征在于,包括:
外壳,设有干燥腔,待干燥的所述基板设于所述干燥腔内;
冷凝板,设于所述干燥腔内,所述冷凝板面向所述像素坑的一侧设有第一涂层,所述第一涂层的亲水程度从正对所述像素坑的中心向所述像素坑的边缘的方向逐渐增大。
2.如权利要求1所述的减压干燥装置,其特征在于,所述第一涂层的密度从正对所述像素坑的中心向所述像素坑的边缘的方向逐渐减少。
3.如权利要求1所述的减压干燥装置,其特征在于,所述待干燥基板设有多个间隔设置的所述像素坑,所述冷凝板对应每一所述像素坑设有一所述第一涂层,并且所述第一涂层的轮廓与所述像素坑的轮廓一致。
4.如权利要求3所述的减压干燥装置,其特征在于,所述冷凝板还设有与多个所述第一涂层邻接的第二涂层,所述第二涂层的亲水程度大于或等于所述第一涂层正对所述像素坑的边缘区域的亲水程度。
5.如权利要求4所述的减压干燥装置,其特征在于,所述第二涂层的密度小于或等于所述第一涂层正对所述像素坑的边缘区域的密度。
6.如权利要求1-5任一项所述的减压干燥装置,其特征在于,所述第一涂层的厚度从正对所述像素坑的中心向所述像素坑的边缘的方向逐渐减小。
7.如权利要求1-5任一项所述的减压干燥装置,其特征在于,所述冷凝板的厚度从正对所述像素坑的中心向所述像素坑的边缘的方向逐渐减小,并且所述第一涂层形成在所述冷凝板厚度变化的表面上。
8.如权利要求7所述的减压干燥装置,其特征在于,所述冷凝板面向所述像素坑的一侧对应每一像素坑设有凹槽,且所述凹槽的槽底壁与所述像素坑的距离从正对所述像素坑的中心向所述像素坑的边缘的方向逐渐减少。
9.如权利要求1至5中任意一项所述的减压干燥装置,其特征在于,所述干燥腔具有相对设置的上腔壁和下腔壁,所述减压干燥装置还包括设于所述下腔壁的温控平台,所述温控平台承载所述待干燥基板,并用于干燥所述待干燥基板。
10.如权利要求9所述的减压干燥装置,其特征在于,所述减压干燥装置还包括设于所述下腔壁和所述温控平台之间的第一升降组件,以及设于所述上腔壁和所述冷凝板之间的第二升降组件,所述第一升降组件可驱动所述温控平台带动所述待干燥基板远离或靠近所述冷凝板,所述第二升降组件可驱动所述冷凝板远离或靠近所述温控平台。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择