[实用新型]一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池有效
申请号: | 201921427082.2 | 申请日: | 2019-08-29 |
公开(公告)号: | CN210403748U | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 王岚;李忠涌;张忠文;谢毅 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 谢建 |
地址: | 620000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 接触 式多主栅单晶 高效 电池 | ||
本实用新型公开了一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池,属于太阳能电池技术领域,目的在于克服现有技术的不足,解决传统主栅与边框连接位置易出现隐裂的问题,以及解决副栅线与焊点或主栅线交接位置,受到冷热循环测试后易断裂的问题。电池片中的主栅线的两端端部设有连接叉,连接叉包括端头和两个端部分支,两个端部分支的一端与端头相连,两个端部分支的另一端向边框线延伸并接触,端头和两个端部分支形成U字形结构;副栅线与主栅线的相交位置以及副栅线与焊点的相交位置分别设置有渐变段。本实用新型适用于太阳能电池。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池。
背景技术
照射在太阳能电池片的太阳光,一部分射入电池片内部,另一部分会被电池片表面反射出去。只有成功射入太阳能电池片内部,激发出电子空穴对,且成功被PN结分离才有可能转换成有效的电能。电荷在离开PN结向电极汇聚的过程中,又会受到电池顶部扩散层电阻、副栅与硅材料的接触电阻、副栅电阻、主栅电阻等各种电阻损耗。当主栅数量增加时,副栅传输电流的距离随之下降,相应的功率损耗与传输距离的平方成反比。正是基于这样的原理,组件功率损失随主栅数目的增加而逐渐减小。
现有的太阳能电池,一般通过新型金半接触多导出电极设计结合高阻密栅技术,进一步提高电池转换效率。而随着主栅数量的增加,主栅宽度需进一步减小,通过减少主栅宽度可以在保持或降低传导电阻的前提下降低表面遮光和银浆耗量,这对整体光伏太阳电池的制程降本提效有着重要意义。
目前的多主栅太阳能电池,主栅的端部一般采用直接与边框线接触,由于主栅线与边框线具有一定的高度,在覆膜下压时,可能会因高度差以及瞬间高温高压出现隐裂,影响太阳能电池板的良品率。
目前国内的太阳能电池板厂商,在生产时,有将主栅的端部改进为V字形连接叉,如专利申请号:2018213611045以及专利申请号:2018216043091公开的多主栅太阳能电池板结构,其均包括V字形连接叉,这种V字形连接叉在覆膜时,受瞬间高温高压出现隐裂的几率比主栅直接与边框线接触的结构相比较小,但依然存在隐裂风险。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池,解决传统主栅与边框连接位置易出现隐裂的问题,以及解决副栅线与焊点或主栅线交接位置,受到冷热循环测试后易断裂的问题。
本实用新型采用的技术方案如下:
一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池,包括基片、设置于基片正表面的正电极以及设置于基片背电场的背电极,正电极包括边框线以及设于边框线内的多条平行排布的主栅线和多条平行排布的副栅线,多条所述主栅线与多条所述副栅线垂直相交,主栅线上间隔设置有多个焊点,主栅线的两端端部设有连接叉,连接叉包括端头和两个端部分支,两个端部分支的一端与端头相连,两个端部分支的另一端向边框线延伸并接触,端头和两个端部分支形成U字形结构;
副栅线与主栅线的相交位置以及副栅线与焊点的相交位置分别设置有渐变段,渐变段的一端与主栅线或者焊点相连,渐变段的另一端与副栅线相连;所述渐变段的宽度由靠近主栅线的一端向远离主栅线的一端逐渐变窄,或者所述渐变段的宽度由靠近焊点的一端向远离焊点的一端逐渐变窄。
进一步的,副栅线与端头的相交位置以及副栅线与两个端部分支的相交位置还分别设置有渐变段。
进一步的,端头与两个端部分支形成凵字形结构。
进一步的,端头与两个端部分支形成梯形结构,两个端部分支在靠近端头位置的间距小,两个端部分支在远离端头位置的间距大。
进一步的,边框线上间隔设置有多个断开口。
进一步的,所述焊点为圆角矩形结构,焊点的的窄边长为0.6mm±0.2mm,焊点的宽边长为1mm±0.2mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的