[实用新型]一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池有效
申请号: | 201921427082.2 | 申请日: | 2019-08-29 |
公开(公告)号: | CN210403748U | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 王岚;李忠涌;张忠文;谢毅 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 谢建 |
地址: | 620000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 接触 式多主栅单晶 高效 电池 | ||
1.一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池,包括基片、设置于基片正表面的正电极以及设置于基片背电场的背电极,正电极包括边框线(12)以及设于边框线(12)内的多条平行排布的主栅线(13)和多条平行排布的副栅线(11),多条所述主栅线(13)与多条所述副栅线(11)垂直相交,主栅线(13)上间隔设置有多个焊点(14),其特征在于,
主栅线(13)的两端端部设有连接叉(10),连接叉(10)包括端头(15)和两个端部分支(16),两个端部分支(16)的一端与端头(15)相连,两个端部分支(16)的另一端向边框线(12)延伸并接触,端头(15)和两个端部分支(16)形成U字形结构;
副栅线(11)与主栅线(13)的相交位置以及副栅线(11)与焊点(14)的相交位置分别设置有渐变段(17),渐变段(17)的一端与主栅线(13)或者焊点(14)相连,渐变段(17)的另一端与副栅线(11)相连;所述渐变段(17)的宽度由靠近主栅线(13)的一端向远离主栅线(13)的一端逐渐变窄,或者所述渐变段(17)的宽度由靠近焊点(14)的一端向远离焊点(14)的一端逐渐变窄。
2.按照权利要求1所述一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池,其特征在于,副栅线(11)与端头(15)的相交位置以及副栅线(11)与两个端部分支(16)的相交位置还分别设置有渐变段(17)。
3.按照权利要求1所述一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池,其特征在于,端头(15)与两个端部分支(16)形成凵字形结构。
4.按照权利要求1所述一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池,其特征在于,端头(15)与两个端部分支(16)形成梯形结构,两个端部分支(16)在靠近端头(15)位置的间距小,两个端部分支(16)在远离端头(15)位置的间距大。
5.按照权利要求1所述一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池,其特征在于,边框线(12)上间隔设置有多个断开口。
6.按照权利要求1所述一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池,其特征在于,所述焊点(14)为圆角矩形结构,焊点(14)的窄边长为0.6mm±0.2mm,焊点(14)的宽边长为1mm±0.2mm。
7.按照权利要求1所述一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池,其特征在于,渐变段(17)的长度为0.6mm±0.2mm。
8.按照权利要求1或7所述一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池,其特征在于,渐变段(17)的最宽值为0.1±0.01mm,渐变段(17)的最窄值为0.05±0.03mm。
9.按照权利要求5所述一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池,其特征在于,断开口的间隔空间的宽度为0.3±0.05mm。
10.按照权利要求1所述一种新型金半接触式多主栅单晶高效电池,其特征在于,相邻两条主栅线(13)之间的距离为12.4±0.05mm,相邻两条副栅线(11)之间的距离为1.74±0.05mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的