[实用新型]一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻有效
| 申请号： | 201921350430.0 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN210200433U | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 黄正信;刘复强;顾明德 | 申请（专利权）人： | 丽智电子(昆山)有限公司 |
| 主分类号： | H01C1/084 | 分类号： | H01C1/084;H01C1/142;H01C17/00;H01C7/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 俞翠华 |
| 地址： | 215300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电极 结构 晶片 电阻 | ||
1.一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻，其特征在于，包括：
基体；
背电极，设于所述基体的背面，其包括相对设置的第一背电极层和第二背电极层，所述第一背电极层和第二背电极层均沿着基体的长度方向延伸，且二者的长度与基体的长度相等；
正电极，设于所述基体的正面，其包括相对设置的第一正电极层和第二正电极层，所述第一正电极层和第二正电极层均沿着基体的长度方向延伸，且二者的长度与基体的长度相等；
阻体层，设于所述基体的正面，其两端分别与所述第一正电极层和第二正电极层相连；
玻璃保护层，覆盖在所述阻体层上；
镭切线，设于所述阻体层和玻璃保护层上对应的位置处；
树脂保护层，覆盖在所述玻璃保护层上；
侧电极，分别与所述正电极与背电极相连，使得背电极与正电极导通。
2.根据权利要求1所述的一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻，其特征在于：所述侧电极包括第一侧电极层和第二侧电极层，所述第一侧电极层和第二侧电极层分别设于基体的两侧，且分为连接所述第一背电极层和第一正电极层，以及第二背电极层和第二正电极层，使得背电极与正电极导通。
3.根据权利要求1所述的一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻，其特征在于：所述背电极、正电极和侧电极的外侧顺次镀有镍层和锡层。
4.根据权利要求1所述的一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻，其特征在于：所述基体为陶瓷基体。
5.根据权利要求1所述的一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻，其特征在于：所述第二树脂保护层的上表面设置有字码层。
6.根据权利要求1所述的一种具有宽电极结构的厚膜晶片电阻，其特征在于：所述正电极、背电极和侧电极均为银电极。
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