[实用新型]一种封装胶膜及由其封装得到的光伏组件有效
| 申请号: | 201921272578.7 | 申请日: | 2019-08-07 |
| 公开(公告)号: | CN210110805U | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
| 发明(设计)人: | 刘宝信;周立伟;彭丽霞;许涛 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/05 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
| 地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 封装 胶膜 得到 组件 | ||
本实用新型涉及一种封装胶膜及由其封装得到的光伏组件,所述封装胶膜包括网格型胶膜层,所述网格型胶膜层包括覆盖在待封装电池串层的焊带上的第一网格线、覆盖在待封装电池串层的电池串间隙的第二网格线及覆盖在待封装电池串层的电池串内的电池片间隙的第三网格线;采用本实用新型所述的封装胶膜封装的光伏组件,不仅光伏组件的材料成本明显降低,且封装胶膜上网格型胶膜层的设置有利于光伏组件层压的过程中胶膜填充电池串层表面的空隙及覆盖焊带,从而进一步提高层压过程的效率,降低光伏组件的成本。
技术领域
本实用新型涉及光伏组件的封装领域,尤其涉及一种封装胶膜及由其封装得到的光伏组件。
背景技术
在所有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源,光伏发电是最具可持续发展理想特征的发电技术之一。在所有的太阳能电池中,硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一,这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量,同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池,有着优异的电学性能和机械性能。在未来的技术发展中,随着硅太阳能电池光电性能的进一步提高,硅材料价格的进一步降低,硅太阳能电池将在光伏行业占据重要的地位。
随着光伏组件商业化以来,国内外对于光伏组件的要求也越来越高,相对于传统化学能源,光伏组件的生产成本虽在逐年降低,但还有一定的差距,目前光伏组件制造厂商在努力提升组件效率的基础上,也尽可能的降低组件的生产成本,通过对封装胶膜厚度的减薄可起到降低组件生产成本的目的,考虑到组件可靠性,封装胶膜还是需要覆盖住焊带,因此不能把封装胶膜减薄的太多。
因此,开发一种在保证光伏组件可靠性的同时能有效降低光伏组件的材料成本的封装胶膜及由其封装得到的光伏组件仍具有重要意义。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供了一种封装胶膜及由其封装得到的光伏组件,所述封装胶膜包括网格型胶膜层,所述网格型胶膜层包括覆盖在待封装的电池串层的焊带上的第一网格线、覆盖在待封装的电池串层的电池串的间隙的第二网格线及覆盖在电池串层的电池串内的电池片间隙的第三网格线,采用本实用新型所述的封装胶膜封装的光伏组件,不仅光伏组件的材料成本明显降低,且封装胶膜中网格型胶膜层的设置有利于光伏组件层压的过程中胶膜填充电池串层表面的空隙及覆盖焊带,从而进一步提高层压过程的效率,降低光伏组件的成本。
为达到此实用新型目的,本实用新型采用以下技术方案:
第一方面,本实用新型提供了一种封装胶膜,所述封装胶膜包括网格型胶膜层1,所述网格型胶膜层1包括覆盖在待封装电池串层的焊带上的第一网格线10、覆盖在待封装的电池串层的电池串的间隙的第二网格线11及覆盖在待封装的电池串层的电池串内的电池片间隙的第三网格线12。
本实用新型所述电池串层的电池串的间隙指的电池串层的电池串与电池串间的间隙,其间隙的延伸方向平行于焊带的方向;所述电池串层的电池串内的电池片的间隙指的是电池串层的单个电池串内的电池片间的间隙。
本实用新型所述封装胶膜包括网格型胶膜层,所述网格型胶膜层包括覆盖在待封装的电池串层的焊带上的第一网格线、覆盖在待封装的电池串层的电池串的间隙的第二网格线及覆盖在电池串层的电池串内的电池片间隙的第三网格线,所述封装胶膜的使用过程中,电池串层的焊带及电池串间隙、电池串内电池片间隙位置处的封装胶膜的厚度较厚,其他位置的封装胶膜的厚度较薄,在封装的层压过程中有利于填充电池串层上的空隙并覆盖焊带,从而优化层压的效果,且采用本实用新型所述封装胶膜进行封装,有利于降低光伏组件的材料成本(本实用新型所述封装胶膜用于光伏组件的封装过程封装胶膜的用量减少了30-35%)。
优选地,所述第一网格线10的宽度>待封装的电池串层的焊带的宽度,二者的宽度差为2-5mm,例如2.5mm、3mm、3.5mm、4mm或4.5mm等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





