[实用新型]一种封装胶膜及由其封装得到的光伏组件有效
申请号: | 201921271618.6 | 申请日: | 2019-08-07 |
公开(公告)号: | CN210443574U | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 刘宝信;周立伟;彭丽霞;许涛 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 胶膜 得到 组件 | ||
本实用新型涉及一种封装胶膜及由其封装得到的光伏组件,所述封装胶膜的一侧表面设置有内陷条形结构,所述内陷条形结构的位置能覆盖在待封装的电池串层的焊带上,本实用新型所述封装胶膜上对应于电池串层的焊带位置处设置内陷条形结构,减少了封装胶膜的用量,降低光伏组件的材料成本,同时有利于防止封装过程中胶膜在焊带上的滑动,从而减少电池串层的移动,减少光伏组件外观不良的产生,增加封装过程的效率。
技术领域
本实用新型涉及光伏组件封装领域,尤其涉及一种封装胶膜及由其封装得到的光伏组件。
背景技术
在所有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源,光伏发电是最具可持续发展理想特征的发电技术之一。在所有的太阳能电池中,硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一,这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量,同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池,有着优异的电学性能和机械性能。在未来的技术发展中,随着硅太阳能电池光电性能的进一步提高,硅材料价格的进一步降低,硅太阳能电池将在光伏行业占据重要的地位。
随着光伏组件商业化以来,国内外对于光伏组件的要求也越来越高,相对于传统化学能源,光伏组件的生产成本虽在逐年降低,但还有一定差距。目前光伏组件制造厂商在努力提升组件效率的基础上,也尽可能的降低组件的生产成本。
现有技术中公开的一种多层封装胶膜,所述多层封装胶膜,包括至少两层胶膜,其中一层为靠近电池侧胶膜层,另外一层为远离电池侧胶膜层,所述靠近电池侧胶膜层的熔融指数小于所述远离电池侧胶膜层的熔融指数,此方案可减少电池片的移位,但同时造成封装胶膜的用量增加,增加光伏组件的材料成本。
因此,开发一种在光伏组件的封装过程既能减少由于层压造成的电池片滑动,又能减少光伏组件材料成本的封装胶膜仍具有重要意义。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种封装胶膜及由其封装得到的光伏组件,所述封装胶膜的一侧表面设置有内陷条形结构,所述内陷条形结构的位置能覆盖在待封装的电池串层的焊带上,本实用新型所述封装胶膜上对应于电池串层的焊带位置处设置内陷条形结构,减少了封装胶膜的用量,降低光伏组件的材料成本,同时有利于防止封装过程中胶膜在焊带上的滑动,从而减少电池串层的移动,减少光伏组件外观不良的产生,增加封装过程的效率。
为达到此实用新型目的,本实用新型采用以下技术方案:
第一方面,本实用新型提供了一种封装胶膜,所述封装胶膜1的一侧表面设置有内陷条形结构10,所述内陷条形结构10覆盖在待封装的电池串层的焊带上。
本实用新型所述封装胶膜的一侧表面设置有内陷条形结构,所述内陷条形结构的位置对应于封装过程中电池串层的焊带位置,其一方面减少了封装胶膜的用量(较常规封装胶膜的用量减少了10-15%),降低了光伏组件的材料成本,另一方面,光伏组件的封装过程中,层压会造成封装胶膜的滑动,本实用新型所述封装胶膜通过在封装胶膜上对应焊带的位置处设置内陷条形结构,有效减少了封装胶膜在焊带上的滑动,从而减少封装过程电池串层的移动,减少了光伏组件不良外观的产生,也可优化层压参数,节省层压时间,提高单位时间内的光伏组件产量。
光伏组件的封装过程中为了提高封装效率,采用将电池串层上的焊带增厚的方法,但同时为了将焊带完全覆盖,需将封装胶膜的厚度增加,从而增加了材料成本,从而使得光伏组件的封装过程中封装效率和材料成本难以兼顾,本实用新型所述的封装胶膜采用在封装胶膜上设置能覆盖待封装电池串层上焊带的内陷条形结构,其一方面降低了封装过程的材料成本,另一方面其能达到防止层压过程封装胶膜在焊带上的滑动,从而减少封装过程电池串层的移动,从而增加光伏组件封装过程的效率,达到提高效率与节约封装成本的双重效果。
优选地,所述内陷条形结构10的延伸方向平行于待封装的电池串层的焊带的延伸方向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的