[实用新型]一种双频热等离子体射流发生装置

说明书

本实用新型公开了一种双频热等离子体射流发生装置，包括：装置本体，射频线圈、耐高温绝缘挡板、射频电源、射流源阴极、射流源阳极以及电弧电源；装置本体内形成有等离子体反应区；射频电源与射频线圈电连接；射频线圈用于电离放电气体；耐高温绝缘挡板设置在射频线圈与等离子体反应区之间；电弧电源分别与射流源阴极、射流源阳极电连接，射流源阴极和射流源阳极设置在等离子体反应区，射流源阴极和射流源阳极之间形成弧光放电区域，当预电离等离子体通过弧光放电区域后会产生热弧等离子体。该装置采用双频激励方式，通过对射频电源和电弧电源的组合调节，实现多场耦合控制，有助于等离子体的参数的分离控制，可以满足用户更多的需求。

技术领域

本实用新型涉及热等离子体射流技术领域，尤其涉及一种双频热等离子体射流发生装置。

背景技术

非晶硅薄膜在玻璃基板上的结晶是制备多晶硅薄膜晶体管的关键工艺技术，在液晶显示器和有机发光二极管显示器的显示应用中，准分子激光退火(ELA)已经得到了广泛的应用。然而，由于激光输出功率的限制，在大面积加工中应用ELA技术使得加工成本高，而热等离子体射流制备工艺可以很好地克服这一系列瓶颈问题。

市面上出现了相应的热等离子体射流发生装置，但是现有的热等离子体射流发生装置只具有单一的射频电源，只能通过射频电源来调节热等离子体的温度以及密度，对于热等离子体的参数调节较单一。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的之一在于提供一种双频热等离子体射流发生装置，其采用双频激励方式，通过对射频电源和电弧电源的组合调节，实现多场耦合控制，有助于等离子体的参数的分离控制，可以满足用户更多的需求。

本实用新型的目的之一采用如下技术方案实现：

一种双频热等离子体射流发生装置，包括：装置本体，射频线圈、耐高温绝缘挡板、射频电源、射流源阴极、射流源阳极以及电弧电源；所述装置本体内形成有等离子体反应区；所述射频电源与所述射频线圈电连接；所述射频线圈用于电离进入所述等离子体反应区的放电气体以产生预电离等离子体；所述耐高温绝缘挡板设置在所述射频线圈与所述等离子体反应区之间以将所述射频线圈与所述等离子体反应区隔离从而防止产生的预电离等离子体扩散回所述射频线圈；所述电弧电源的负极与所述射流源阴极电连接，所述电弧电源的正极与所述射流源阳极电连接，所述射流源阴极和所述射流源阳极设置在所述等离子体反应区中且分布在所述等离子体反应区的长度方向上，所述射流源阴极和所述射流源阳极之间形成弧光放电区域，当所述射流源阴极和所述射流源阳极通电时，所述预电离等离子体通过所述弧光放电区域后会产生热弧等离子体从而形成热等离子体射流。

进一步地，所述装置本体上设有水冷通道，所述水冷通道设置在与所述等离子体反应区相对应的位置处以对装置本体进行冷却。

进一步地，还包括用于承载待镀膜基板的载物台，所述载物台与所述等离子体反应区的热等离子体射流出口相对以使热等离子体射流可以喷射到待镀膜基板上。

进一步地，所述载物台可沿着垂直于热等离子体射流的方向移动以对待镀膜基板的不同位置进行镀膜。

进一步地，所述载物台设有移动速度调节按钮以调节所述载物台的移动速度的大小。

进一步地，还包括偏置电源和偏置盘，所述偏置电源的负极与所述射流源阳极电连接，所述偏置电源的正极与所述偏置盘电连接，所述偏置盘设置在所述载物台的未承载待镀膜基板的一侧。

进一步地，所述偏置电源具有电压调节按钮以调节所述偏置电源的电压的大小。

进一步地，所述待镀膜基板为已镀有a-Si薄膜的玻璃基板。

进一步地，所述耐高温绝缘挡板为石英玻璃板或陶瓷板。

进一步地，所述射频电源和所述电弧电源均具有电压调节按钮以调节所述射频电源或所述电弧电源的电压的大小。