[实用新型]一种双频热等离子体射流发生装置有效
申请号: | 201921130481.2 | 申请日: | 2019-07-18 |
公开(公告)号: | CN210899785U | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 詹霞;高建波;马艳玲;张书彦;贡志锋;林木楠 | 申请(专利权)人: | 东莞材料基因高等理工研究院;广东书彦材料基因创新科技有限公司 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;H05K7/20 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 汤喜友 |
地址: | 523808 广东省东莞市松山湖*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双频 等离子体 射流 发生 装置 | ||
1.一种双频热等离子体射流发生装置,其特征在于,包括:装置本体,射频线圈、耐高温绝缘挡板、射频电源、射流源阴极、射流源阳极以及电弧电源;所述装置本体内形成有等离子体反应区;所述射频电源与所述射频线圈电连接;所述射频线圈用于电离进入所述等离子体反应区的放电气体以产生预电离等离子体;所述耐高温绝缘挡板设置在所述射频线圈与所述等离子体反应区之间以将所述射频线圈与所述等离子体反应区隔离从而防止产生的预电离等离子体扩散回所述射频线圈;所述电弧电源的负极与所述射流源阴极电连接,所述电弧电源的正极与所述射流源阳极电连接,所述射流源阴极和所述射流源阳极设置在所述等离子体反应区中且分布在所述等离子体反应区的长度方向上,所述射流源阴极和所述射流源阳极之间形成弧光放电区域,当所述射流源阴极和所述射流源阳极通电时,所述预电离等离子体通过所述弧光放电区域后会产生热弧等离子体从而形成热等离子体射流。
2.如权利要求1所述的双频热等离子体射流发生装置,其特征在于,所述装置本体上设有水冷通道,所述水冷通道设置在与所述等离子体反应区相对应的位置处以对装置本体进行冷却。
3.如权利要求1所述的双频热等离子体射流发生装置,其特征在于,还包括用于承载待镀膜基板的载物台,所述载物台与所述等离子体反应区的热等离子体射流出口相对以使热等离子体射流可以喷射到待镀膜基板上。
4.如权利要求3所述的双频热等离子体射流发生装置,其特征在于,所述载物台可沿着垂直于热等离子体射流的方向移动以对待镀膜基板的不同位置进行镀膜。
5.如权利要求4所述的双频热等离子体射流发生装置,其特征在于,所述载物台设有移动速度调节按钮以调节所述载物台的移动速度的大小。
6.如权利要求3至5任一项所述的双频热等离子体射流发生装置,其特征在于,还包括偏置电源和偏置盘,所述偏置电源的负极与所述射流源阳极电连接,所述偏置电源的正极与所述偏置盘电连接,所述偏置盘设置在所述载物台的未承载待镀膜基板的一侧。
7.如权利要求6所述的双频热等离子体射流发生装置,其特征在于,所述偏置电源具有电压调节按钮以调节所述偏置电源的电压的大小。
8.如权利要求7所述的双频热等离子体射流发生装置,其特征在于,所述待镀膜基板为已镀有a-Si薄膜的玻璃基板。
9.如权利要求1所述的双频热等离子体射流发生装置,其特征在于,所述耐高温绝缘挡板为石英玻璃板或陶瓷板。
10.如权利要求1所述的双频热等离子体射流发生装置,其特征在于,所述射频电源和所述电弧电源均具有电压调节按钮以调节所述射频电源或所述电弧电源的电压的大小。
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