[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201921007903.7 | 申请日: | 2019-07-01 |
公开(公告)号: | CN209729907U | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 余光棋;董职福;王孝林;朴正淏;张手强;张朋月 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/133;G09G3/36 |
代理公司: | 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申健<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侧边 栅线 设置区域 阵列基板 本实用新型 空间不足 显示装置 位置处 显示区 窄边框 受限 条栅 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括显示区以及围绕所述显示区一周设置的周边区;所述阵列基板还包括:位于所述显示区、依次设置的多条栅线;
所述显示区包括第一侧边和第二侧边,且所述第一侧边和所述第二侧边之间通过R角连接,所述第一侧边与所述栅线延伸方向垂直,所述第二侧边与所述栅线延伸方向平行;
所述多条栅线中包括:位于所述R角中与所述第一侧边相邻的第一角度内侧的多条第一栅线,以及位于所述第一侧边内侧的多条第二栅线;
所述阵列基板还包括:位于所述第一侧边和与其连接的所述R角外侧的周边区中的GOA电路;所述GOA电路中包括:与所述第一栅线连接的第一GOA单元,以及与所述第二栅线连接的第二GOA单元;
在沿所述栅线延伸方向上,所述第一GOA单元的设置区域的宽度小于所述第二GOA单元的设置区域的宽度;
在沿垂直所述栅线延伸方向上,所述第一GOA单元的设置区域的高度大于所述第二GOA单元的设置区域的高度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一GOA单元和所述第二GOA单元具有相同的电路连接关系。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一GOA单元包括输出子电路;所述输出子电路包括输出晶体管和存储电容;所述输出子电路用于将时钟信号端的信号作为扫描信号输出至与其连接的栅线;
所述第一GOA单元中输出子电路的相对分布位置与所述第二GOA单元中输出子电路的相对分布位置不同。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,
在所述第二GOA单元的设置区域中,输出子电路沿所述栅线延伸方向上单排分布;
在所述第一GOA单元的设置区域中,输出子电路沿所述栅线延伸方向上双排分布。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一GOA单元中的输出子电路在沿所述栅线延伸方向上双排分布区域包括:第一排分布区和第二排分布区;
其中,所述第一排分布区的宽度与所述第一GOA单元的设置区域的宽度相同或近似相同;
所述第二排分布区的高度与所述第二GOA单元的设置区域的高度相同或近似相同。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一角度大于等于5°,且所述第一角度小于等于45°。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述阵列基板在所述R角中除所述第一角度外的部分的内侧的多条栅线与第二GOA单元连接,且所述第二GOA单元的设置区域至少部分,位于与其连接的栅线的上方。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述显示区至少在沿垂直所述栅线延伸方向上的一端设置有的两个所述R角。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述显示区包括一组相对设置的两个所述第一侧边,两个所述第一侧边与所述第二侧边之间分别通过不同的R角连接;
所述阵列基板包括两个所述GOA电路;
两个所述GOA电路分别位于两个所述第一侧边和与其连接R角的外侧的周边区中;并且两个所述GOA电路中,一个所述GOA电路与位于奇数行的栅线连接,另一个所述GOA电路与位于偶数行的栅线连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的