[实用新型]一种基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器有效

专利信息
申请号: 201921000730.6 申请日: 2019-06-28
公开(公告)号: CN210245515U 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 高娜;朱啟芬;冯向;黄凯;康俊勇 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/18;G02B5/00;B82Y30/00
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 张松亭;林燕玲
地址: 361000 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 局域 表面 离激元 效应 深紫 msm 探测器
【权利要求书】:

1.一种基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:包括由下至上衬底、缓冲层、超短周期超晶格,以及金属电极;该超短周期超晶格设有纳米孔阵和金属纳米颗粒,该纳米孔阵有序分布于超短周期超晶格,该金属纳米颗粒注入纳米孔阵空隙或沉积于超短周期超晶格上表面,颗粒尺寸可调控;金属电极设置在超短周期超晶格上,形成肖特基接触。

2.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述衬底为同质衬底,该同质衬底为氮化镓或氮化铝单晶。

3.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述衬底为异质衬底,该异质衬底为蓝宝石或碳化硅或单晶硅。

4.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述超短周期超晶格采用两种禁带宽度不同的半导体材料交替生长而成。

5.如权利要求4所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述两种禁带宽度不同的半导体材料为氮化镓单晶或氮化铝单晶或铝镓氮混晶中的任意两种。

6.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述金属纳米颗粒为铑颗粒或银颗粒或铝颗粒中的任意一种。

7.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述金属纳米颗粒直径范围为20nm-70nm。

8.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述纳米孔阵周期范围为200nm-600nm。

9.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述金属电极为金、铬/金、镍/金、钛/金组合中的任意一种。

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