[实用新型]一种基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器有效
申请号: | 201921000730.6 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN210245515U | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 高娜;朱啟芬;冯向;黄凯;康俊勇 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/18;G02B5/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;林燕玲 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 局域 表面 离激元 效应 深紫 msm 探测器 | ||
1.一种基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:包括由下至上衬底、缓冲层、超短周期超晶格,以及金属电极;该超短周期超晶格设有纳米孔阵和金属纳米颗粒,该纳米孔阵有序分布于超短周期超晶格,该金属纳米颗粒注入纳米孔阵空隙或沉积于超短周期超晶格上表面,颗粒尺寸可调控;金属电极设置在超短周期超晶格上,形成肖特基接触。
2.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述衬底为同质衬底,该同质衬底为氮化镓或氮化铝单晶。
3.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述衬底为异质衬底,该异质衬底为蓝宝石或碳化硅或单晶硅。
4.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述超短周期超晶格采用两种禁带宽度不同的半导体材料交替生长而成。
5.如权利要求4所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述两种禁带宽度不同的半导体材料为氮化镓单晶或氮化铝单晶或铝镓氮混晶中的任意两种。
6.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述金属纳米颗粒为铑颗粒或银颗粒或铝颗粒中的任意一种。
7.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述金属纳米颗粒直径范围为20nm-70nm。
8.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述纳米孔阵周期范围为200nm-600nm。
9.如权利要求1所述的基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器,其特征在于:所述金属电极为金、铬/金、镍/金、钛/金组合中的任意一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的