[实用新型]一种二维半导体材料基柔性光传感器

说明书

本实用新型公开了一种二维半导体材料基柔性光传感器，属于传感器领域，包括衬底、金属电极a、金属电极b、光电转化层和透明顶部包覆层，衬底采用柔性膜制成，对传感器核心功能区起到机械支撑的作用，光电转化层采用二维半导体材料制成，保证光传感器具有较好的可弯曲性，透明顶部包覆层采用透明树脂材料制成，提高光传感器的稳定性。透明树脂顶部包裹层对待检测光具有高的透射率，该二维半导体材料基柔性光传感器具有可弯曲、高灵敏度、结构简单、易于制作的特点。

技术领域

本实用新型涉及传感器领域尤其涉及一种二维半导体材料基柔性光传感器。

背景技术

光传感器在军事和民用两方面都具有重要应用价值。人们除了要求器件要有高的性能外，也期望器件具有便携、可折叠、易弯曲等特点，这要求器件具有一定的柔性。传统光传感器主要是基于半导体晶体或薄膜制作，检测的灵敏度有限，器件通常不具有可弯曲性。高质量二维半导体材料被用于制作光传感器，使制备高性能柔性光传感器成为可能。

实用新型内容

根据现有技术存在的问题，本实用新型公开了一种二维半导体材料基柔性光传感器，包括，衬底、金属电极a、金属电极b、光电转化层和透明顶部包覆层；

所述金属电极a包含微米端Ⅰ和毫米端Ⅰ；

所述金属电极b包含微米端Ⅱ和毫米端Ⅱ；

所述金属电极a和金属电极b固定在所述衬底的上部；

所述光电转化层一端固定连接在金属电极a的微米端Ⅰ的上部，所述光电转化层另一端固定连接在金属电极b的微米端Ⅱ的上部；

金属电极a的毫米端Ⅰ和金属电极b的毫米端Ⅱ分别与导线相连接；

所述透明顶部包覆层封装固定在所述衬底、金属电极a、金属电极b和光电转化层的上部。

进一步地，所述衬底采用柔性膜制成。

进一步地，所述金属电极a与所述金属电极b之间的距离为1-10μm。

进一步地，所述光电转化层采用二维半导体材料制成。

进一步地，所述透明顶部包覆层采用透明树脂材料制成。

进一步地，所述光电转化层采用定向转移方式与所述金属电极a和金属电极b固定连接。

进一步地，所述光电转化层厚度为0.3nm-10nm。

由于采用了上述技术方案，本实用新型提供的一种二维半导体材料基柔性光传感器，衬底采用柔性膜制成，对传感器核心功能区起到机械支撑的作用，光电转化层采用二维半导体材料制成，保证光传感器具有较好的可弯曲性，透明顶部包覆层采用透明树脂材料制成，提高光传感器的稳定性。透明树脂应对待检测光具有高的透射率，该二维半导体材料基柔性光传感器具有可弯曲、高灵敏度、结构简单、易于制作的特点。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为基于一种二维半导体材料柔性光传感器的结构示意图；

图2为本实用新型原理图；

图3为本实用新型弯曲时结构示意图；

图4为金属电极a与金属电极b结构示意图；

图5为基于两种二维半导体材料异质结构柔性光传感器的结构示意图。