[实用新型]一种二维半导体材料基柔性光传感器有效
| 申请号： | 201921000376.7 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN209729922U | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 梁瑶;肖茜儒;刘向;武素梅;陈影 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0203 |
| 代理公司： | 21212 大连东方专利代理有限责任公司 | 代理人： | 姜威威;李洪福<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光传感器 二维半导体 光电转化层 金属电极 包覆层 衬底 透明树脂材料 本实用新型 传感器核心 传感器领域 高灵敏度 机械支撑 可弯曲性 透明树脂 透明 包裹层 功能区 检测光 可弯曲 柔性膜 透射率 制作 保证 | ||
1.一种二维半导体材料基柔性光传感器，其特征在于：包括，衬底(1)、金属电极a(2)、金属电极b(3)、光电转化层(4)和透明顶部包覆层(5)；
所述金属电极a(2)包含微米端Ⅰ(20)和毫米端Ⅰ(21)；
所述金属电极b(3)包含微米端Ⅱ(30)和毫米端Ⅱ(31)；
所述金属电极a(2)和金属电极b(3)固定在所述衬底(1)的上部；
所述光电转化层(4)一端固定连接在金属电极a(2)的微米端Ⅰ(20)的上部，所述光电转化层(4)另一端固定连接在金属电极b(3)的微米端Ⅱ(30)的上部；
金属电极a(2)的毫米端Ⅰ(21)和金属电极b(3)的毫米端Ⅱ(31)分别与导线相连接；
所述透明顶部包覆层(5)封装固定在所述衬底(1)、金属电极a(2)、金属电极b(3)和光电转化层(4)的上部。
2.根据权利要求1所述的一种二维半导体材料基柔性光传感器，其特征还在于：所述衬底(1)采用柔性膜制成。
3.根据权利要求1所述的一种二维半导体材料基柔性光传感器，其特征还在于：所述金属电极a(2)与所述金属电极b(3)之间的距离为1-10μm。
4.根据权利要求1所述的一种二维半导体材料基柔性光传感器，其特征还在于：所述光电转化层(4)采用二维半导体材料制成。
5.根据权利要求1所述的一种二维半导体材料基柔性光传感器，其特征还在于：所述透明顶部包覆层(5)采用透明树脂材料制成。
6.根据权利要求1所述的一种二维半导体材料基柔性光传感器，其特征还在于：所述光电转化层(4)采用定向转移方式与所述金属电极a(2)和金属电极b(3)固定连接。
7.根据权利要求1所述的一种二维半导体材料基柔性光传感器，其特征还在于：所述光电转化层(4)厚度为0.3nm-10nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
