[实用新型]基于键合多反射腔的原子气室标准制作装置和原子磁力仪

权利要求书

1.一种基于键合多反射腔的原子气室标准制作装置，其特征在于，包括模具和阳极键合装置，其中，

所述模具包括中间定位块、第一挡块、第二挡块和框架，

所述中间定位块的左侧开设有用于定位第一柱面镜的第一凹槽，其右侧开设有用于定位第二柱面镜的第二凹槽，

所述第一柱面镜放置在所述第一凹槽中，所述第二柱面镜放置在所述第二凹槽中，所述第一挡块的一侧抵住所述框架的内侧，其另一侧抵住所述第一柱面镜将所述第一柱面镜固定在所述第一凹槽中，所述第二挡块的一侧抵住所述框架的内侧，其另一侧抵住所述第二柱面镜将所述第二柱面镜固定在所述第二凹槽中，

所述中间定位块的底部开设有用于定位固定硅片的第三凹槽，所述第一柱面镜的底部与所述硅片接触，所述第二柱面镜的底部与所述硅片接触，通过所述模具的精度确定所述第一柱面镜和所述第二柱面镜之间的相对距离以及所述第一柱面镜和所述第二柱面镜在所述硅片上的绝对位置，

所述阳极键合装置包括用于放置所述模具的工作台。

2.根据权利要求1所述的基于键合多反射腔的原子气室标准制作装置，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽均为矩形槽。

3.根据权利要求1所述的基于键合多反射腔的原子气室标准制作装置，其特征在于，所述硅片为18mm×30mm的单面抛光的半毫米厚硅片，晶向100。

4.根据权利要求1所述的基于键合多反射腔的原子气室标准制作装置，其特征在于，所述模具为陶瓷模具。

5.根据权利要求4所述的基于键合多反射腔的原子气室标准制作装置，其特征在于，所述阳极键合装置上设置有加热装置。

6.根据权利要求5所述的基于键合多反射腔的原子气室标准制作装置，其特征在于，所述加热装置为陶瓷板面加热装置。

7.根据权利要求1所述的基于键合多反射腔的原子气室标准制作装置，其特征在于，所述第三凹槽为矩形槽。

8.一种原子磁力仪，包括原子气室，其特征在于，所述原子气室为采用如上述权利要求1-7任意一项所述的基于键合多反射腔的原子气室标准制作装置制成的原子气室。

9.根据权利要求8所述的原子磁力仪，其特征在于，还包括保温盒、放置装置和多层坡莫合金磁屏蔽桶，其中，

所述放置装置为3D打印而成，所述放置装置上开设有第一容纳槽和第二容纳槽，所述原子气室放置在所述保温盒中，所述保温盒放置在所述第一容纳槽中，光纤头放置在所述第二容纳槽中使得光沿固定角度射入所述原子气室中，

所述放置装置内置在所述多层坡莫合金磁屏蔽桶中。

10.根据权利要求9所述的原子磁力仪，其特征在于，所述多层坡莫合金磁屏蔽桶为五层坡莫合金磁屏蔽桶。