[实用新型]一种光控可调谐太赫兹吸收器

权利要求书

1.一种光控可调谐太赫兹吸收器，其特征在于：包括底层的金属反射板及其上方的介质基板，所述介质基板上贴覆有周期性结构单元，所述周期性结构单元包括位于介质基板中央的对称嵌套开口谐振环结构、分割圆环结构及沿介质基板四周均匀对称分布的双Y形条状结构，所述双Y形条状结构由光控半导体硅贴片及金属金贴片构成，嵌套开口谐振环结构由光控半导体硅贴片及金属金贴片构成，分割圆环结构由金属金构成。

2.根据权利要求1所述的光控可调谐太赫兹吸收器，其特征在于：所述对称嵌套开口谐振环开口处接有半导体硅。

3.根据权利要求1所述的光控可调谐太赫兹吸收器，其特征在于：所述双Y形条状结构的数量为四个，且结构及其尺寸均相同，分别由两个Y形金属贴片及其中间的光控半导体硅贴片构成。

4.根据权利要求3所述的光控可调谐太赫兹吸收器，其特征在于：所述双Y形条状结构中间的光控半导体硅贴片长度为l₁＝1.445μm，宽度为b＝0.765μm；所述Y形金属贴片的宽度由中间向外依次增大，呈阶梯形结构，所述阶梯形结构的长度由中间向外依次为a＝4.5μm,a₁＝3μm,a₂＝3μm,a₃＝6μm，且中间阶梯形结构的宽度为b＝1.35μm。

5.根据权利要求4所述的光控可调谐太赫兹吸收器，其特征在于：所述Y形金属贴片的宽度从中间向外依次为前一个宽度的1.5倍。

6.根据权利要求4所述的光控可调谐太赫兹吸收器，其特征在于：所述Y形结构的末端呈V形，其外角tanθ＝8/3，相邻两个阶梯形结构之间的夹角表示为tanθ₁＝-3/4。

7.根据权利要求1所述的光控可调谐太赫兹吸收器，其特征在于：所述对称嵌套开口谐振环外环的长为l₂＝24μm，宽l₃＝11μm，内环长m＝18μm，宽l₄＝6.5μm，开口长s＝2μm，宽t₁＝1μm，分割圆环大环外直径r₁＝50μm，小环外直径r＝μm，圆环内外直径相差t₂＝3μm，分割间距t₃＝5μm。

8.根据权利要求1所述的光控可调谐太赫兹吸收器，其特征在于：所述吸收器通过调节介质基板表面光控半导体硅的电导率以代表不同水平的光激发，从而实现调节该吸收器的吸收带宽。

9.根据权利要求1所述的光控可调谐太赫兹吸收器，其特征在于：所述底层反射板是金属金，电导率为45610000S/m，所述介质基板是聚酰亚胺，其损耗角正切为0.0027，光控半导体硅贴片的介电常数为11.9 C^2，电导率为89125S/m。