[实用新型]电源防反接保护电路

说明书

本实用新型提供了一种电源防反接保护电路，包括：控制芯片、第一场效应管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容；控制芯片，当接收到电源电压信号时打开，并在打开后，控制芯片的第一端输出第一电压信号，第二端输入第二电压信号；第三端输出第三电压信号；通过将第一电压信号与第二电压信号进行比较，根据比较结果，对第一场效应管的打开和关断进行控制；第一场效应管，当第二电压信号与第一电压信号的差值大于预设阈值时，第一场效应管导通；当差值大于预设阈值的负值时，第一场效应管关断；第一电容与第一电阻，滤除第一场效应管打开时的尖峰的电流电压；第二电容进行旁滤滤波。由此，保证了场效应管的使用的安全性，降低了成本。

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，尤其涉及一种电源防反接保护电路。

背景技术

汽车对于防电源反接保护有强制要求，目的是为了预防正负端接烧毁电源，更严重的会引起火灾。

目前防电源反接的方法主要有以下几种：

第一种，参见图1，图1为现有技术一的电源防反接电路结构图。在图1中，采用第一二极管或者PMOSFET串联到电源正极。但是由于车规第一二极管的过流能力有限，并且随着电流变化电压波动比较大。

第二种，参见图2，图2为现有技术二的电源防反接电路结构图。在图2中，通过采用PMOSFET串联到电源正极，以防止电源反接。因PMOSFET的价钱比较贵，并且PMOSFET的RON(导通电阻)比较大，随着电流的增加消耗的电能也随着增加，消耗的能量用于转换成热量，而整个热量和能耗的损失都是电子系统不愿意看到的。

第三种，参见图3，图3为现有技术三的电源防反接电路结构图。在图3中，采用NMOSFET接到电源负极，用正极电源打开NMOSFET。因NMOSFET的价钱相对PMOSFET来说比较低，并且RON(导通电阻)比较小，相对PMOSFET是比较好的，但是放到电源的负端，那会将电源后端系统的GND抬高，与电源不是一个标准的GND平面(GND平面形象的比喻海拔的海平面)，这个问题导致系统间通讯的判定电平会变化，这也是电子系统不愿意看到的。

第四种，参见图4，图4为现有技术四的电源防反接电路结构图。在图4中，采用PMOSFET反接到电源正极，添加自举电路来打开PMOSFET。采用NMOSFET放到正极，但是NMOSFET需要保证G极的电压高于S极才能是NMOSFET导通，所以需要升压，而目前的自举电路需要控制端控制对GND的NMOSFET管的开关，这样才能产生升压电路，最终G极的电压高于S极，使得NMOSFET导通，而这个自举电路需要一个控制芯片去控制开关，电路搭建器件比较多，并且升压受控制端的占空比控制，如果控制不好，电路自举则会有风险。

因此，急需一种更经济稳定的电源防反接保护电路。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的是提供一种电源防反接保护电路，以解决现有技术中存在的问题。

为解决上述问题，本实用新型提供了一种电源防反接保护电路，所述电源防反接保护电路包括：控制芯片、第一场效应管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容；

所述控制芯片的第一端与所述第一场效应管的漏极、第一电阻的第一端、第二电阻的第一端相连接，所述控制芯片的第二端与所述第一场效应管的源极、第一电容的第一端、电源相连接，所述控制芯片的第三端与所述第一场效应管的栅极相连接，所述控制芯片的第四端与第二电容的第一端、控制芯片的第七端相连接，所述控制芯片的第六端与所述第二电容的第二端、第二电阻的第二端相连接；所述第一电容的第二端与第一电阻的第二端相连接；