[实用新型]一种新型的耐热斑效应的光伏组件有效
申请号: | 201920850955.4 | 申请日: | 2019-06-06 |
公开(公告)号: | CN209804678U | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 左燕;徐斌;王琪;王锐;杨若婷;张春梅;周西勇;管卫卫 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0443 | 分类号: | H01L31/0443;H01L31/042 |
代理公司: | 31253 上海精晟知识产权代理有限公司 | 代理人: | 冯子玲 |
地址: | 710099 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 旁路二极管 电池 遮挡 光伏组件 正极 电池正负极 二极管导通 倒角位置 反向连接 负极连接 连接位置 输出功率 正极连接 负极 斑效应 正负极 耐热 发电量 | ||
本专利提供了一种新型的耐热斑效应的光伏组件,其特征在于,所述光伏组件中每片太阳电池的正负极之间反向连接一个旁路二极管,所述旁路二极管的正极与所述电池的负极连接,所述旁路二极管的负极与所述电池的正极连接;所述旁路二极管的连接位置设置在所述电池的四个倒角位置的任意一个。该组件当有一片电池发生遮挡的时候,该电池正负极之间的二极管导通,而其他未被遮挡的电池仍将工作,使得该组件在相同遮挡环境下具有更高的输出功率和发电量。
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池光伏组件,特别是耐热斑效应的光伏组件领域。
背景技术
随着全球范围内能源供应的日趋紧张,发展新能源已成为各国重要能源战略。太阳能由于其较易获得而受到人们越来越多的关注。近年来,太阳能光伏行业发展较快,光伏组件的安全性能和可靠性也受到光伏行业人士越来越多的关注和重视。
将太阳电池通过不同的串、并联方式连接并封装后,形成具有一定电压和电流输出的光伏组件。光伏组件的热斑效应,是指在一定条件下一串联太阳电池支路中,被遮挡的太阳电池会作为负载,消耗其他接受光照的太阳电池所产生电能,而被遮挡的太阳电池出现发热的现象。
被遮挡太阳电池会消耗接受光照的太阳电池所产生的部分能量或所有能量,从而降低光伏组件的输出功率。严重的热斑现象会导致太阳电池局部烧毁、焊点熔化、封装材料老化等永久性破坏,甚至造成整个光伏组件报废或重大火灾。
为防止热斑效应产生,常规光伏组件会在每一串联支路的太阳电池上并联旁路二极管,以避免该支路中受光的太阳电池所产生的能量被受遮挡的太阳电池消耗。通常情况下,旁路二极管处于反向偏压,不影响光伏组件正常工作。当一片电池被遮挡时,其他电池促其反偏成为大电阻,此时二极管导通,总电池中超过被遮电池光生电流的部分被二极管分流,从而避免被遮电池过热损坏,以避免光照组件所产生的能量被受遮蔽的组件所消耗。
常规的防止组件热斑效应的方法是在一块组件中设置三个二极管,每个二极管保护一个串联支路的所有太阳电池。以60片电池组件为例,一个二极管并联于20片串联电池的两端,当其中一片电池被遮挡时,二极管发生导通,此时受该二极管保护的20片串联电池处在短路状态不再发电,组件只有其他两个串联支路的40片电池发电,大大影响了整个光伏组件的输出功率,影响到系统发电量。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于研制一种新型的耐热斑效应的光伏组件,所述光伏组件中每片太阳电池的正负极之间反向连接一个旁路二极管,所述旁路二极管的正极与所述电池的负极连接,所述旁路二极管的负极与所述电池的正极连接;所述旁路二极管的连接位置设置在所述电池四个倒角位置的任意一个。
本专利提供一种新型的耐热斑效应的光伏组件,该组件当有一片电池发生遮挡的时候,该电池正负极之间的二极管会起作用,而其他未被遮挡的电池仍然在工作,使得该组件在相同的遮挡环境下能有更高的输出功率和发电量。
附图说明
图1单晶电池二极管连接示意图;
图2单晶电池二极管连接局部示意图;
图3多晶电池二极管连接示意图;
图4多晶电池二极管连接局部示意图;
图5组件排版示意图;
图6二等分电池二极管连接示意图;
图7五等分电池二极管连接示意图。
具体实施方式
实施例
为使本专利的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本专利的具体实施方式做详细的说明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司,未经国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的