[实用新型]薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201920843202.0 | 申请日: | 2019-06-05 |
公开(公告)号: | CN210224048U | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 赵荣森;潘登;魏博文;赵杰 | 申请(专利权)人: | 领凡新能源科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人: | 张婧 |
地址: | 101407 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 | ||
本实用新型公开了一种薄膜太阳能电池,涉及薄膜太阳能电池的技术领域,能够提升整片电池的转换效率。所述薄膜太阳能电池包括中间区域和边缘区域;其中,所述中间区域的各子电池具有第一电池节宽;所述边缘区域的各子电池的具有第二电池节宽,所述第二电池节宽大于所述第一电池节宽。
技术领域
本实用新型涉及薄膜太阳能电池的技术领域,尤其涉及一种薄膜太阳能电池。
背景技术
薄膜太阳能电池具有原材料消耗少,易于大面积连续化生产,制备过程污染小等优点。
一种薄膜电池生产流程如下,包括:(1)、先在基底上沉积一层导电膜;(2)、利用激光刻划或者机械刻划将导电膜沿着基底的一个方向刻划成若干区域,形成子电池的绝缘沟槽,此刻划过程通常称为P1刻划;(3)、在完成P1刻划的基底上沉积光子吸收层;(4)、以P1刻划作为参照,在P1刻划的刻划线向右(或向左)偏移一定距离(例如50~80um)的位置,利用激光刻划或者机械刻划将光子吸收层刻划掉,形成沟槽。后续可在沟槽形成连接相邻子电池的导电结构。此刻划过程通常称为P2刻划;(5)、在完成P2刻划的光子吸收层上沉积一层导电膜,P2刻划形成的沟槽由于导电膜的存在,最终形成连接相邻子电池的导电结构;(6)、以P2刻线作为参照,利用激光刻划或者机械刻划在P2刻线的刻线线向右(或向左)偏移一定距离(例如50~80um)将光子吸收层和导电膜一同刻划掉,形成多个子电池,且相邻子电池通过导电结构形成串联电路。此刻划过程通常称为P3刻划;(7)、利用激光或者机械刻划将基底四周的所有膜层刻划掉,刻划宽度8~15mm,此刻划过程通常称为P4刻划;(8)、继续后续的封装层压工序,制作成光伏组件。
所述的子电池是薄膜电池的最小子单元,通过子电池进行串联提高输出电压。对上文所述通过P1-P3刻划形成的薄膜电池,各节子电池的宽度可以用相邻的两条P1刻划线之间的间距以来衡量。发明人认知的现有薄膜太阳能电池设计时,各子电池的最佳宽度(即电池节宽)由最佳功率点的电流密度和电压来推算出。发明人发现,即便将电池片上各子电池的宽度均设计为由最佳功率点推算出的最佳宽度,实际电池片的功率仍然与最佳功率点相差较远。
实用新型内容
为了解决问题,本实用新型提供了一种薄膜太阳能电池,该薄膜太阳能电池边缘两侧的电池节宽进行了优化设计,能够提升整片电池的转换效率。
本公开的实施例还提供一种薄膜太阳能电池,所述薄膜太阳能电池包括中间区域和边缘区域;所述中间区域的各子电池具有第一电池节宽;所述边缘区域的各子电池的具有第二电池节宽,所述第二电池节宽大于所述第一电池节宽。
优选地,所述边缘区域的各子电池的具有基于所述第一电池节宽优化后的电池节宽,所述基于第一电池节宽优化后的电池节宽能使所述边缘区域的子电池的电流强度与所述中间区域的子电池的电流强度一致。
一种相关技术中,薄膜太阳能电池的所有子电池的电池节宽均相同,没有单独去设计薄膜太阳能电池的两侧边缘区域的子电池的电池节宽。由于对薄膜太阳能电池而言,两侧边缘区域的光子吸收层的膜层质量是整片电池中最差的区域,量子效率(QE)低,导致边缘区域的子电池的电流密度明显较其他区域子电池的小,也即边缘区域的子电池的电流强度(电流强度=电流密度*子电池面积)也小于其他区域的子电池。由于整个薄膜太阳能电池是将各节子电池串联,整串薄膜太阳能电池的电流强度由其中各子电池中电流强度最低的子电池决定,这会影响整片电池的效率。
本实用新型的实施例提供了一种薄膜太阳能电池,针对薄膜太阳能电池两侧的光吸收层相对中间区域较薄且膜层质量较差的情况,对薄膜太阳能电池边缘的节宽进行了单独设计,所述边缘区域的各子电池的电池节宽大于中间区域的子电池的电池节宽。进一步地,还可对薄膜太阳能电池边缘的带你吃节宽进行了优化设计,使所述边缘区域的各子电池的电流强度与所述中间区域的电流强度尽量一致,这样可以使各子电池的发电功率尽量一致,能够提升整片电池的转换效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的