[实用新型]一种承载装置有效
申请号: | 201920800083.0 | 申请日: | 2019-05-30 |
公开(公告)号: | CN210516691U | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 张朝前;马砚忠;李少雷;陈鲁 | 申请(专利权)人: | 深圳中科飞测科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 承载 装置 | ||
本实用新型公开了一种承载装置,属于半导体技术领域。所述承载装置包括:第一卡盘及第二卡盘;所述第一卡盘包括第一承载面,所述第一承载面中开设有多条真空沟槽;所述第二卡盘包括第二承载面,所述第二承载面包括吸附区,所述吸附区中具有若干针孔,所述针孔用于与所述真空沟槽连通。本实用新型晶圆承载装置可以吸附扇出型封装工艺的胶膜框架承载的晶圆及普通的晶圆。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种承载装置。
背景技术
无图形晶圆及减薄前的有图形晶圆的厚度较大,在检测或加工过程中,可以通过吸盘直接吸附较厚的晶圆,对晶圆进行固定。
但是,随着新型的封装技术不断涌现,一些高性能电子产品芯片的立体封装所需要的芯片厚度越来越薄。当电路层制作完成时,需要对硅片进行背面减薄抛光,然后进行贴膜,利用胶膜贴到框架上所具有的张力来给超薄晶圆提供支撑,使其保持平整,避免翘曲下垂等问题,从而解决超薄晶圆的传输问题。另外,晶圆的切割、划片、研磨都需要胶膜框架来提供必要的承载,以完成加工和检测任务。
在现有技术中,是通过吸盘对FANOUT(扇出型封装)晶圆进行吸附,但是,在使用过程中,发现吸盘的真空沟槽产生的吸附力会导致FANOUT(扇出型封装)晶圆的损坏。
实用新型内容
本实用新型提供一种承载装置,解决了或部分解决了现有技术中通过吸盘对FANOUT(扇出型封装)晶圆进行吸附,吸盘的真空沟槽产生的吸附力会导致FANOUT(扇出型封装)晶圆损坏的技术问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种承载装置包括:承载装置包括:第一卡盘及第二卡盘;所述第一卡盘包括第一承载面,所述第一承载面中开设有多条真空沟槽;所述第二卡盘包括第二承载面,所述第二承载面包括吸附区,所述吸附区中具有若干针孔,所述针孔用于与所述真空沟槽连通。
进一步地,所述第一卡盘还包括与所述第一承载面相对的第一背面,所述第二卡盘还包括与所述第二承载面相对的第二背面;所述第一卡盘可拆卸式地设置于第二承载面,且所述第一背面朝向所述第二承载面;或者所述第二卡盘可拆卸式地设置于所述第一承载面,且所述第二背面朝向所述第一承载面。
进一步地,所述第一卡盘上开设有若干第一螺纹孔,所述第二卡盘上开设有若干第二螺纹孔;若干所述第一螺纹孔与若干所述第二螺纹孔一一对应,螺栓穿过所述第一螺纹孔进入与第一螺纹孔相对应的第二螺纹孔。
进一步地,所述第一卡盘和第二卡盘之间围成连接腔,所述真空沟槽与所述连接腔连通,所述针孔与所述连接腔连通。
进一步地,所述第一卡盘朝向所述第二卡盘的面包括包围所述连接腔的第一连接区;所述第二卡盘朝向所述第一卡盘的端面包括包围所述连接腔的第二连接区;所述第一连接区具有凸台,所述第二连接区具有止口;或者,所述第一连接区具有止口,所述第二连接区具有凸台;所述凸台嵌入所述止口内,所述凸台围成所述连接腔侧壁。
进一步地,所述第二卡盘设置于所述第一承载面;所述第二承载面朝向背离所述第一卡盘的方向;所述针孔贯穿所述第二卡盘,且与所述连接腔连通。
进一步地,所述第一卡盘设置于所述第二承载面;所述第一承载面朝向背离所述第二卡盘的方向;所述第一卡盘上设置有真空孔中的一个或多个,所述真空孔位于所述第一卡盘内部,且与所述连接腔连通。
进一步地,所述第一卡盘用于固定第一待吸附物,所述第一待吸附物包括晶圆。
进一步地,所述第二承载面还包括包围所述吸附区的支持区;所述吸附区凸出于所述支持区表面。
进一步地,所述第二卡盘用于固定第二待吸附物;所述第二待吸附物包括:胶膜和贴于胶膜表面的晶圆;以及承载件,用于承载所述胶膜的边缘;所述支持区用于承载所述承载件,所述吸附区用于吸附所述晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造