[实用新型]显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201920703006.3 | 申请日: | 2019-05-15 |
| 公开(公告)号: | CN210073852U | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
| 发明(设计)人: | 彭兆基;刘明星;甘帅燕 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 11606 北京华进京联知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李姣姣 |
| 地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示区 透光率 阳极层 感光器件 显示面板 发光层 反射层 本实用新型 阴极层 衬底 显示装置 保证 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:显示区,所述显示区包括第一显示区与第二显示区;所述第二显示区的透光率大于所述第一显示区的透光率;
所述显示面板包括位于所述第一显示区与所述第二显示区的衬底、阳极层、发光层以及阴极层;阳极层位于衬底上,发光层位于阳极层上,阴极层位于发光层上;
所述阳极层包括反射层;位于所述第二显示区的反射层的厚度小于位于所述第一显示区的反射层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述反射层的材料为金属。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述反射层的材料为银。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一显示区中反射层的厚度范围为600~1200埃米,所述第二显示区中反射层的厚度范围为20~100埃米。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阳极层还包括第一透明导电层与第二透明导电层;所述反射层位于所述第一透明导电层与所述第二透明导电层之间。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一透明导电层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌;所述第二透明导电层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,当所述第一透明导电层位于所述反射层的下方、所述第二透明导电层位于所述反射层的上方、且所述第二透明导电层为氧化铟锡时,位于所述第二显示区的阳极层与位于所述第一显示区的阳极层不连续。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,位于所述第二显示区的阳极层与位于所述第一显示区的阳极层之间包括像素定义层。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,位于所述第二显示区的阴极层的厚度小于位于所述第一显示区的阴极层的厚度。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,位于所述第二显示区的反射层的厚度大于或者等于位于所述第二显示区的阴极层的厚度。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阴极层的材料为镁银合金。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述阴极层中镁的质量与银的质量的比例范围为1:4~1:20。
13.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一显示区中阴极层的厚度范围为80~150埃米,所述第二显示区中阴极层的厚度范围为20~60埃米。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括电子注入层;所述电子注入层位于所述阴极层与所述发光层之间。
15.根据权利要求14所述的显示面板,其特征在于,所述电子注入层的材料包括镁、钾、锂、铯中的至少一种以及银。
16.根据权利要求15所述的显示面板,其特征在于,所述电子注入层的材料为镁银合金。
17.根据权利要求16所述的显示面板,其特征在于,所述电子注入层中镁的质量与银的质量的比例范围为4:1~20:1。
18.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括封装层,所述封装层位于所述阴极层上。
19.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述衬底包括第一衬底及第二衬底,所述第一衬底位于第一显示区,第二衬底位于第二显示区,所述第二衬底的透光率大于第一衬底的透光率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司,未经昆山国显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920703006.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:柔性基板和显示装置
- 下一篇:像素排布结构、显示面板及显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





