[实用新型]一种基于上升沿采样的抗电压波动的延时开关电路

权利要求书

1.一种基于上升沿采样的抗电压波动的延时开关电路，其特征在于，包括：输入接口Vin+、输入接口Vin-、输出接口Vout+、输出接口Vout-、第一缓启动驱动电路、第一缓启动电路以及上升沿采样锁定电路；

所述第一缓启动驱动电路包括：电阻R1、电容C1、稳压二极管VD1、电阻R2以及NPN三极管Q1；

所述电阻R1的第一端与所述输入接口Vin+相连，所述电阻R1的第二端通过所述电容C1与所述输入接口Vin-相连，所述稳压二极管VD1的负极与所述电阻R1的第二端相连，所述稳压二极管VD1的正极通过所述电阻R2与所述NPN三极管Q1的基极相连，所述NPN三极管Q1的发射极与所述输入接口Vin-相连；

所述第一缓启动电路包括：电阻R4、电容C2、电阻R5以及P-MOS管MQ1；

所述电阻R4的第一端与所述NPN三极管Q1的集电极相连，所述电阻R4的第二端通过所述电容C2与所述输入接口Vin+相连，所述电阻R5的第一端与所述电阻R4的第二端相连，所述电阻R5的第二端与所述输入接口Vin+相连，所述P-MOS管MQ1的源极与所述输入接口Vin+相连，所述P-MOS管MQ1的栅极与所述电阻R4的第二端相连，所述P-MOS管MQ1的漏极与所述输出接口Vout+相连；

所述上升沿采样锁定电路包括：稳压二极管VD2；

所述稳压二极管VD2的正极与所述电阻R1的第二端相连，所述稳压二极管VD2的负极与所述P-MOS管MQ1的漏极相连；

所述输入接口Vin-以及所述输出接口Vout-接地。

2.如权利要求1所述的基于上升沿采样的抗电压波动的延时开关电路，其特征在于，所述第一缓启动驱动电路包括：电阻R3；

所述电阻R3的第一端与所述NPN三极管Q1的基极相连，所述电阻R3的第二端与所述输入接口Vin-相连。

3.如权利要求1所述的基于上升沿采样的抗电压波动的延时开关电路，其特征在于，所述第一缓启动电路还包括：稳压二极管VD3；

所述稳压二极管VD3的正极与所述P-MOS管MQ1的栅极相连，所述稳压二极管VD3的负极与所述输入接口Vin+相连。

4.如权利要求1所述的基于上升沿采样的抗电压波动的延时开关电路，其特征在于，所述第一缓启动电路还包括：二极管D1；

所述二极管D1的负极与所述P-MOS管MQ1的源极相连，所述二极管D1的正极与所述P-MOS管MQ1的漏极相连。

5.如权利要求1所述的基于上升沿采样的抗电压波动的延时开关电路，其特征在于，所述基于上升沿采样的抗电压波动的延时开关电路还包括：电容C3；

所述电容C3的第一端与所述P-MOS管MQ1的漏极相连，所述电容C3的第二端与输入接口Vin-相连。

6.如权利要求1所述的基于上升沿采样的抗电压波动的延时开关电路，其特征在于，所述基于上升沿采样的抗电压波动的延时开关电路还包括：保护电路；

所述保护电路包括：瞬态抑制二极管TVS；

所述瞬态抑制二极管TVS连接在所述输入接口Vin+与所述输入接口Vin-之间。

7.如权利要求1～6任一项所述的基于上升沿采样的抗电压波动的延时开关电路，其特征在于，所述基于上升沿采样的抗电压波动的延时开关电路还包括：第二缓启动电路；所述第二缓启动电路连接所述第一缓启动电路与所述输出接口Vout+和输出接口Vout-之间；

所述第二缓启动电路包括：电阻R6、电容C4、电阻R7以及P-MOS管MQ2；

所述电容C4的第一端与所述P-MOS管MQ1的漏极相连，所述电容C4的第二端通过所述电阻R6与输出接口Vout-相连，所述电阻R7的第一端与所述P-MOS管MQ1的漏极相连，所述电阻R7的第二端与所述电容C4的第二端相连，所述P-MOS管MQ2的源极与所述P-MOS管MQ1的漏极相连，所述P-MOS管MQ2的栅极与所述电容C4的第二端相连，所述P-MOS管MQ2的漏极与所述输出接口Vout+相连。