[实用新型]一种具有反射镜结构的正面入射式雪崩二极管有效
| 申请号: | 201920643030.2 | 申请日: | 2019-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN209675303U | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
| 发明(设计)人: | 刘月;晏小平;王肇中 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/107 |
| 代理公司: | 42225 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 王维<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址: | 430206 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 菲涅尔透镜 衬底层 金属反射层 光接收 入射 本实用新型 反射镜结构 雪崩二极管 倍增层 管体 贴设 掺杂 光信号汇聚 光学元件 不接触 电荷层 过渡层 缓冲层 接收光 吸收层 制作 保证 | ||
1.一种具有反射镜结构的正面入射式雪崩二极管,其特征在于,其包括:
管体(1),所述管体(1)包括衬底层(10),所述衬底层(10)上从下至上依次设有缓冲层(11)、吸收层(12)、过渡层(13)、电荷层(14)和无掺杂倍增层(15),所述无掺杂倍增层(15)上设有光接收口(16);
菲涅尔透镜(2),所述菲涅尔透镜(2)贴设于所述衬底层(10)的底部,所述菲涅尔透镜(2)用于接收光信号并将所述光信号汇聚至所述光接收口(16)上;
金属反射层(3),所述金属反射层(3)覆盖于所述菲涅尔透镜(2)远离所述衬底层(10)的一面上,且所述金属反射层(3)至少部分延伸至所述衬底层(10)上。
2.如权利要求1所述的一种具有反射镜结构的正面入射式雪崩二极管,其特征在于:所述金属反射层(3)为金属银材料。
3.如权利要求1所述的一种具有反射镜结构的正面入射式雪崩二极管,其特征在于:所述菲涅尔透镜(2)的中心与所述衬底层(10)的中心对齐设置。
4.如权利要求3所述的一种具有反射镜结构的正面入射式雪崩二极管,其特征在于:所述菲涅尔透镜(2)与衬底层(10)相互接触的两个面的面积比值为0.7。
5.如权利要求1所述的一种具有反射镜结构的正面入射式雪崩二极管,其特征在于:所述菲涅尔透镜(2)为磷化铟InP材料。
6.如权利要求1所述的一种具有反射镜结构的正面入射式雪崩二极管,其特征在于:所述光接收口(16)的两侧设有P极和N极,所述P极和N极上均镀有金属电极。
7.如权利要求1所述的一种具有反射镜结构的正面入射式雪崩二极管,其特征在于:所述光接收口(16)的下方设有锌扩散层(4)。
8.如权利要求7所述的一种具有反射镜结构的正面入射式雪崩二极管,其特征在于:所述锌扩散层(4)的扩散浓度为2×1018~5×1018cm-3,所述锌扩散层(4)的扩散深度为2~3μm。
9.如权利要求1所述的一种具有反射镜结构的正面入射式雪崩二极管,其特征在于:所述衬底层(10)为n型衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





