[实用新型]一种导电铜箔

权利要求书

1.一种导电铜箔，其特征在于，

包括极薄铜层、铜基层、导热硅胶层和第一导电胶层，所述极薄铜层上具有第一延展部和第一凹陷部，所述第一延展部和所述第一凹陷部的数量均为多个，多个所述第一延展部和多个所述第一凹陷部依次交错设置，每个所述第一凹陷部呈弧面结构设置，每个所述第一延展部上具有多个凸起，每个所述凸起的外侧壁上具有多个通孔，所述铜基层上具有第二延展部和第二凹陷部，所述第二延展部和所述第二凹陷部的数量均为多个，多个所述第二延展部和多个所述第二凹陷部依次交错设置，每个所述第二凹陷部呈弧面结构设置，且每个所述第二凹陷部与每个所述第一凹陷部相对设置形成球形空腔，每个所述第二延展部上具有多个凹槽，每个所述凹槽与每个所述凸起相互契合，所述导热硅胶层填充至每个所述凹槽、每个所述通孔的内部以及每个所述第一凹陷部与每个所述第二凹陷部的球形空腔内，所述第一导电胶层与所述铜基层粘接，并位于所述铜基层远离所述极薄铜层的一端。

2.如权利要求1所述的导电铜箔，其特征在于，

所述第一延展部、所述第一凹陷部和所述凸起为一体成型设置。

3.如权利要求2所述的导电铜箔，其特征在于，

所述第二延展部、所述第二凹陷部和所述凹槽为一体成型设置。

4.如权利要求3所述的导电铜箔，其特征在于，

所述极薄铜层的厚度为9～13μm。

5.如权利要求4所述的导电铜箔，其特征在于，

所述铜基层的厚度为16～20μm。

6.如权利要求5所述的导电铜箔，其特征在于，

所述凹槽的深度为8～11μm，所述凸起的长度为4～7μm。

7.如权利要求1所述的导电铜箔，其特征在于，

所述导电铜箔还包括石墨烯层，所述石墨烯层与所述极薄铜层固定连接，并位于所述极薄铜层远离所述铜基层的一端。

8.如权利要求7所述的导电铜箔，其特征在于，

所述导电铜箔还包括第二导电胶层，所述第二导电胶层与所述石墨烯层粘接，并位于所述石墨烯层远离所述极薄铜层的一端，且所述第二导电胶层与所述第一导电胶层的粘结力不同。

9.如权利要求8所述的导电铜箔，其特征在于，

所述导电铜箔还包括第一离型层和第二离型层，所述第一离型层与所述第一导电胶层粘接，并位于所述第一导电胶层远离所述铜基层的一端，所述第二导电胶层与所述第二导电胶层固定连接，并位于所述第二导电胶层远离所述石墨烯层的一端。

10.如权利要求9所述的导电铜箔，其特征在于，

所述第一离型层和所述第二离型层均采用PET膜。