[实用新型]一种高对比度粗笔迹手写膜

说明书

本实用新型涉及一种高对比度粗笔迹手写膜，包括依次设置的透明纳米银导电膜、第一阻挡层、聚合物液晶层、第二阻挡层和不透明黑色纳米银导电膜；所述的透明纳米银导电膜包括依次设置的PET透明基膜、第一纳米银线层和第一OC胶层(丙烯酸低聚物)；所述的不透明黑色纳米银导电膜包括依次设置的第二OC胶层、第二纳米银线层和PET不透明黑色基膜。本实用新型采用纳米银导电膜替代ITO膜作为粗笔迹手写膜的电极，解决了底色泛蓝，对比差的问题；且手写膜笔迹3‑6mm，对比度高、附着力好，40‑100寸均能实现正常刷新。

技术领域

本实用新型涉及手写膜技术领域，具体涉及一种能用于40-100寸且高对比度的粗笔迹手写膜。

背景技术

手写膜为两层带导电层的基材中间灌有在外场(如光、热等)下可聚合的混配单体或预聚物、液晶及相关的液晶组合物(手性掺杂剂\旋光剂)，该液晶组合物主要用于调节胆甾相液晶的螺距以达到调节其布拉格反射的效果，具体是利用液晶在不同稳态的可见光反射率差异来显示笔迹。

将手写膜接入刷新电路刷新后，胆甾相液晶处于稳态FC态，给手写膜施加压力时，胆甾相液晶将翻转到稳态P态。处于P态的液晶对特定波段的光拥有较高反射率，通过调节胆甾相液晶的螺距调节其中心反射波长。具体结构及原理如图2所示。

常规的聚合物分散液晶手写膜生产流程为：涂布、分相固化成膜后直接进行后续的成品加工。目前8寸或10寸的手写膜均采用方块电阻为550±50Ω的ITO导电膜，58寸及以上手写膜，考虑到电压衰减及电源驱动问题，一般需采用方块电阻150±50Ω的ITO导电膜，然而150±50Ω的ITO导电膜的透过率较低，且导电膜反射率非常强，这将会造成手写膜H态黑度不够，从而降低手写膜的对比度。

纳米银导电膜具备低阻高透特性，采用纳米银导电膜能解决大尺寸手写膜刷新问题，且对比度相对较好。目前很多手写膜厂家直接将纳米银导电膜应用于手写膜上，刚开始性能很优异，但时间一长就碰到各种问题，原因是纳米银导电膜通常由纳米银线层和OC胶层组成，OC胶层通常是丙烯酸低聚物，而双稳态手写膜的聚合物液晶层的胶层通常也是丙烯酸树脂，这两种材料在某种条件下会发生反应或相互迁移，从而造成质量不稳定。因此要想保证纳米银导电膜式手写膜的稳定性，需确保聚合物液晶层与银纳米导电膜的OC胶层的相对稳定性及独立性，由于手写膜各家的PDLC配方及材料都不同，且不说材料匹配难度本来就很大，另外对纳米银导电膜厂家来说，不可能为每一家客户都定制开发，因此，若想将纳米银导电膜应用于手写膜且保证其优异的耐候性，需要找到一种更简单和通用的方法。

实用新型内容

本实用新型的目的是解决现有技术的不足，提供一种能用于40-100寸且高对比度的粗笔迹手写膜。

本实用新型所采用的技术方案是：

一种高对比度粗笔迹手写膜，包括依次设置的透明纳米银导电膜、第一阻挡层、聚合物液晶层、第二阻挡层和不透明黑色纳米银导电膜；

所述的透明纳米银导电膜包括依次设置的PET透明基膜、第一纳米银线层和第一OC胶层(丙烯酸低聚物)；第一OC胶层的下表面与第一阻挡层的上表面贴合；

所述的不透明黑色纳米银导电膜包括依次设置的第二OC胶层、第二纳米银线层和PET不透明黑色基膜；第二OC胶层的上表面与第二阻挡层的下表面贴合。

所述第一阻挡层和第二阻挡层为二氧化硅层或氮化硅层；其中二氧化硅层的使用效果最佳，第一阻挡层和第二阻挡层很好的解决了纳米银导电膜材料与聚合物液晶材料反应问题，有利于提高各层之间的附着力。

优选的，所述的PET透明基膜为PET透明磨砂基膜。

优选的，所述透明纳米银导电膜的方块电阻为30-100Ω，雾度为25±5％，透过率＞86％。