[实用新型]一种高对比度粗笔迹手写膜有效
| 申请号： | 201920522593.6 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN209765228U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 吴琴;孙金礼;汤立文;李唯 | 申请（专利权）人： | 珠海兴业新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 44346 广东高端专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市香*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 依次设置 不透明 导电膜 手写 笔迹 本实用新型 透明纳米银 黑色纳米 纳米银线 银导电膜 阻挡层 胶层 附着力 丙烯酸低聚物 聚合物液晶层 高对比度 透明基膜 黑色基 纳米银 电极 底色 替代 | ||
1.一种高对比度粗笔迹手写膜，其特征在于：包括依次设置的透明纳米银导电膜、第一阻挡层、聚合物液晶层、第二阻挡层和不透明黑色纳米银导电膜；
所述的透明纳米银导电膜包括依次设置的PET透明基膜、第一纳米银线层和第一OC胶层，第一OC胶层的下表面与第一阻挡层的上表面贴合；
所述的不透明黑色纳米银导电膜包括依次设置的第二OC胶层、第二纳米银线层和PET不透明黑色基膜；第二OC胶层的上表面与第二阻挡层的下表面贴合。
2.根据权利要求1所述的一种高对比度粗笔迹手写膜，其特征在于：所述第一阻挡层和第二阻挡层为二氧化硅层或氮化硅层。
3.根据权利要求2所述的一种高对比度粗笔迹手写膜，其特征在于：所述的第一阻挡层和第二阻挡层的厚度为10-100nm。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种高对比度粗笔迹手写膜，其特征在于：所述的PET透明基膜为PET透明磨砂基膜。
5.根据权利要求4所述的一种高对比度粗笔迹手写膜，其特征在于：所述透明纳米银导电膜的方块电阻为30-100Ω，雾度为25±5％，透过率＞86％。
6.根据权利要求4所述的一种高对比度粗笔迹手写膜，其特征在于：所述的不透明黑色纳米银导电膜的方块电阻为30-100Ω。
7.根据权利要求1或2或3或5或6所述的一种高对比度粗笔迹手写膜，其特征在于：所述的透明纳米银导电膜的厚度为120-130μm；所述的不透明黑色纳米银导电膜的厚度为180-190μm。
8.根据权利要求7所述的一种高对比度粗笔迹手写膜，其特征在于：所述聚合物液晶层厚度为3-6μm。
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