[实用新型]一种IGBT单元

说明书

本实用新型实施例公开了一种IGBT单元，所述IGBT单元包括：散热基板、第一焊锡层、第一铜箔、绝缘基板、第二铜箔、第二焊锡层、芯片、铝线和散热布，所述散热布贯穿所述第二铜箔的第一极体、绝缘基板、第一铜箔和第一焊锡层，并连接到所述散热基板上。在本实用新型实施例中通过散热布贯穿IGBT单元的各个功能层，可以将芯片上所产生的热量传导至散热基板上，实现热量快速的散发，由于散热基板是一个承载基板，其散热面积大，具有良好的散热功效。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种IGBT单元。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的 IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所述的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。

现有的IGBT单元在接入电气设备中，其芯片所产生的热量会导致在局部热点上散热性较差，而芯片位于IGBT单元的表面，如何实现热传导，需要基于现有的IGBT单元进行改良和改善。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种 IGBT单元，通过散热布引导芯片上所产生的热功耗，再基于散热基板散发出去，避免芯片所产生热量散发不出去，导致器件功能性损坏，保障IGBT 模块长久耐用。

为了解决上述问题，本实用新型提出了一种IGBT单元，所述IGBT单元包括：散热基板、第一焊锡层、第一铜箔、绝缘基板、第二铜箔、第二焊锡层、芯片、铝线和散热布，其中：

所述第一焊锡层设置在所述散热基板上，所述第一铜箔设置在第一焊锡层上，所述绝缘基板设置在第一铜箔上，所述第二铜箔设置在绝缘基板上；

所述第二铜箔包括第一极体和第二极体，所述第一极体和第二极体相互隔离的设置在绝缘基板上，所述第二焊锡层设置在所述第一极体上，所述芯片设置在第二焊锡层上，所述铝线的一段焊接在芯片表面上，所述铝线的另一端焊接在所述第二极体表面上；

所述散热布贯穿所述第二铜箔的第一极体、绝缘基板、第一铜箔和第一焊锡层，并连接到所述散热基板上。

所述散热基板上设置有碗杯，所述第一焊锡层设置在碗杯上。

所述碗杯厚度为0.1毫米至3毫米之间的任一取值。

所述散热基板上设置有散热通道。

所述散热通道内封装有空气、或水、或酒精、或丙酮。

所述绝缘基板的材质包括三氧化铝、四氧化硅。

所述散热布为硅胶散热布或者为绝缘散热布。

所述散热基板上设置有卡槽和封装罩，所述封装罩卡接在所述卡槽上。

在本实用新型实施例中，通过散热布贯穿IGBT单元的各个功能层，可以将芯片上所产生的热量传导至散热基板上，实现热量快速的散发，由于散热基板是一个承载基板，其散热面积大，具有良好的散热功效。