[实用新型]四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器有效
申请号: | 201920390088.0 | 申请日: | 2019-03-26 |
公开(公告)号: | CN209626392U | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 刘亚东 | 申请(专利权)人: | 苏州捷频电子科技有限公司 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 冯瑞 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 局部导体 滤波器 贯通孔 电路 陶瓷电介质 交叉耦合 介质块 四阶 介质块外表面 本实用新型 延伸导体 耦合导体 耦合 带外抑制 连接电路 内导体层 外导体层 相邻电路 轴线方向 短路面 开放面 连体式 内表面 频段 面形 频点 通带 平行 延伸 开放 | ||
1.一种四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器,包括由陶瓷材料成型的一体式介质块,所述介质块上开设有四个贯通孔,所述四个贯通孔的轴线平行、并列;每个所述贯通孔的内表面均设有金属镀层形成内导体层,平行于贯通孔轴线方向的介质块外表面设有金属镀层形成外导体层;所述贯通孔其中一端所在的介质块外表面设有金属镀层形成短路面,所述内导体层和外导体层通过该短路面导电连接;所述贯通孔另一端所在的介质块外表面形成开放面,所述开放面上对应每个贯通孔均设有电路局部导体层,分别为电路局部导体层一、电路局部导体层二、电路局部导体层三和电路局部导体层四;所述介质块上形成外导体层的外表面设有两个绝缘部,所述两个绝缘部将其所在外表面的外导体层隔断形成信号输入端子和信号输出端子;其特征在于:所述开放面上设有耦合延伸导体层和耦合导体层;所述耦合延伸导体层与外导体层之间具有绝缘间隙,所述耦合延伸导体层连接电路局部导体层一和电路局部导体层四,所述耦合延伸导体层与电路局部导体层二、电路局部导体层三之间均具有绝缘间隙;所述耦合导体层具有均与外导体层导电连接的两组,其中一组所述耦合导体层延伸至两个相邻电路局部导体层之间;另一组所述耦合导体层延伸至另一组两个相邻电路局部导体层之间;所述耦合导体层与电路局部导体层一、电路局部导体层二、电路局部导体层三和电路局部导体层四之间均具有绝缘间隙。
2.如权利要求1所述的四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器,其特征在于:所述一组耦合导体层延伸至电路局部导体层一和电路局部导体层二之间,另一组耦合导体层延伸至电路局部导体层三和电路局部导体层四之间。
3.如权利要求1所述的四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器,其特征在于:所述一组耦合导体层延伸至电路局部导体层一和电路局部导体层二之间,另一组耦合导体层延伸至电路局部导体层二和电路局部导体层三之间。
4.如权利要求1所述的四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器,其特征在于:所述一组耦合导体层延伸至电路局部导体层二和电路局部导体层三之间,另一组耦合导体层延伸至电路局部导体层三和电路局部导体层四之间。
5.如权利要求2~4任一项所述的四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器,其特征在于:所述耦合导体层为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层。
6.如权利要求1所述的四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器,其特征在于:各所述电路局部导体层均为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层;所述耦合延伸导体层为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层。
7.如权利要求1所述的四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器,其特征在于:所述介质块为横卧放置的长方体结构,所述四个贯通孔水平横向设置在长方体结构的介质块上。
8.如权利要求1所述的四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器,其特征在于:所述开放面上还设有两个端子局部导体层,所述两个端子局部导体层与电路局部导体层一、电路局部导体层二、电路局部导体层三、电路局部导体层四、耦合导体层、耦合延伸导体层之间均具有绝缘间隙;两个端子局部导体层分别与信号输入端子和信号输出端子连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州捷频电子科技有限公司,未经苏州捷频电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920390088.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:三阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器
- 下一篇:自锁螺钉及应用该螺钉的滤波器