[实用新型]射频开关和射频开关单元

说明书

公开了一种射频开关和射频开关单元。射频开关具有第一节点、第二节点和在第一节点和第二节点之间串联耦合的多个开关单元。多个开关单元中的每个包括场效应晶体管和关断状态线性化网络，该场效应晶体管具有漏极端子、源极端子、FET栅极端子以及体端子。关断状态线性化网络包括耦合到场效应晶体管的漏极端子和源极端子的变容器。

相关申请

本申请涉及2017年4月24日提交的名称为ELECTRONIC COMPONENT HAVING FIELDEFFECT TRANSISTOR CELLS(具有场效应晶体管元件的电子元件)的美国专利申请序列号15/494,605，其要求2017年1月6日提交的美国临时申请序列号62/443,047的优先权，它们的公开内容通过引用整体由此并入本文。

技术领域

本公开的实施例涉及射频开关电路。

背景技术

射频(RF)收发器的重要电子部件是构成堆叠FET型RF开关的场效应晶体管(FET)。基于FET的RF开关通常需要线性补偿，以防止在RF开关处于关断状态时将发送信号施加到RF开关时产生谐波失真。RF开关在关断状态下时有效断开，并且防止发送信号通过RF开关传递。然而，当RF开关断开时，部分地由于RF开关固有的非线性电容而从发送信号产生不期望的谐波。不期望的谐波从RF开关传递并干扰RF收发器的接收器电路。

传统的关断状态线性化网络与RF开关并联放置，以减少不期望的谐波。虽然传统的关断状态线性化网络确实在发送信号施加到关断状态下的RF开关时减少了谐波失真，但传统的关断状态线性化网络占用了有价值的电路基板面，因为它需要外部偏置电路。重新获得有价值的基板面所需要的是不需要外部偏置电路的关断状态线性化网络。

实用新型内容

公开了一种射频开关，其具有第一节点、第二节点和在第一节点和第二节点之间串联耦合的多个开关单元。多个开关单元中的每个包括场效应晶体管和关断状态线性化网络，该场效应晶体管具有漏极端子、源极端子、场效应晶体管栅极端子以及体端子。关断状态线性化网络包括耦合到场效应晶体管的漏极端子和源极端子的变容器(varactor)。

根据本申请的一个方面，提供了一种射频开关，其包括第一节点、第二节点和多个开关单元，多个开关单元串联耦合在第一节点和第二节点之间，其中多个开关单元中的每个包括：场效应晶体管，其包括漏极端子、源极端子、场效应晶体管栅极端子和体端子；以及关断状态线性化网络，其包括：第一反向模式变容器，其具有耦合到漏极端子的第一变容器栅极端子和耦合到体端子的第一调谐端子；以及第二反向模式变容器，其具有耦合到源极端子的第二变容器栅极端子和耦合到体端子的第二调谐端子。

进一步地，该射频开关还包括耦合在场效应晶体管栅极端子和体端子之间的栅-体开关，其中栅-体开关被配置为当场效应晶体管转换到在漏极端子和源极端子之间传递射频信号的导通状态时自动断开，并且还被配置为当场效应晶体管转换到阻止在漏极端子和源极端子之间传递射频信号的关断状态时自动闭合。

进一步地，其中场效应晶体管、第一反向模式变容器和第二反向模式变容器包括共用体扩散。

进一步地，其中第一调谐端子和第二调谐端子直接耦合到体端子。

进一步地，该射频开关还包括将第一调谐端子和第二调谐端子耦合到体端子的体电阻器。

进一步地，该射频开关还包括与场效应晶体管、第一反向模式变容器和第二反向模式变容器共用体扩散并且将第一调谐端子和第二调谐端子耦合到体端子的体电阻器。

进一步地，该射频开关还包括：第一累积模式变容器，其具有耦合到漏极端子的第三变容器栅极端子和耦合到源极端子的第三调谐端子；以及第二累积模式变容器，其具有耦合到源极端子的第四变容器栅极端子和耦合到漏极端子的第四调谐端子。