[实用新型]基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统有效
| 申请号： | 201920223635.6 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN210051849U | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01J5/00;H02M3/158 |
| 代理公司： | 32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 被测器件 半导体功率器件 动态测试系统 本实用新型 测试电路板 信号发生器 热分布 功率半导体器件 测试技术领域 功率器件测试 红外热成像仪 温度分布图像 产品竞争力 红外热成像 热成像技术 测试过程 测试系统 电流转移 功率器件 观测窗口 监测功率 提升器件 重大意义 薄弱点 时间点 对准 图像 测试 拍摄 应用 | ||
1.基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，包括测试电路板（1）、信号发生器（2）和红外热成像仪（3），其特征在于：用于安装被测器件T的测试电路板（1）与信号发生器（2）连接，所述红外热成像仪（3）的观测窗口对准被测器件T，用于拍摄及显示测试过程中被测器件T的温度分布图像。
2.根据权利要求1所述的基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，其特征在于：所述测试电路板（1）包括开关失效测试电路板、非钳位感性测试电路板或短路测试电路板。
3.根据权利要求2所述的基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，其特征在于：所述开关失效测试电路板包括电源S、稳压电容C、开关管T1、被测器件T、控制晶体管T2、电感L及续流二极管D，所述稳压电容C与电源S并联，所述电源S的正极接开关管T1的漏极，所述开关管T1的源极分别与续流二极管D的负极、电感L的一端连接，所述续流二极管D的正极与电感L的另一端连接，所述电感L的另一端分别与被测器件T的漏极、控制晶体管T2的漏极连接，所述被测器件T的源极、控制晶体管T2的源极均与电源S的负极连接。
4.根据权利要求2所述的基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，其特征在于：所述非钳位感性测试电路板包括电源S、稳压电容C、开关管T1、被测器件T、控制晶体管T2、电感L及续流二极管D，所述稳压电容C与电源S并联，所述电源S的正极接开关管T1的漏极，所述开关管T1的源极分别与续流二极管D的负极、电感L的一端连接，所述续流二极管D的正极与被测器件T的源极、控制晶体管T2的源极、电源S的负极连接，所述电感L的另一端分别与被测器件T的漏极、控制晶体管T2的漏极连接。
5.根据权利要求3或4所述的基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，其特征在于：所述信号发生器（2）与被测器件T、开关管T1及控制晶体管T2的栅极连接，用于提供栅极电压使器件导通。
6.根据权利要求3或4所述的基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，其特征在于：所述控制晶体管T2的击穿电压大于被测器件T的击穿电压。
7.根据权利要求1所述的基于热成像技术的半导体功率器件动态测试系统，其特征在于：所述被测器件T为未封装的器件，且芯片表面裸露，在芯片表面有打线。
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