[实用新型]一种用于抑制发光二极管低频纹波电流的电路

说明书

本申请公开了一种用于抑制发光二极管低频纹波电流的电路，包括：整流电路，线性恒流电路，以及低频纹波抑制电路。整流电路被配置为对交流电源输入进行整流以向线性恒流电路和低频纹波抑制电路提供经整流的直流输出。线性恒流电路被配置为与低频纹波抑制电路连接以向LED负载提供恒定电流。低频纹波抑制电路包括LED负载、包括金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的控制芯片、输出电容、二极管以及多个电阻。控制芯片被配置为检测表征LED负载或输出电容两端的输出电压的输出表征电压，并且基于输出表征电压、第一基准电压、以及第二基准电压控制MOSFET的导通与截止。

技术领域

本申请涉及电路领域，更具体地涉及一种用于抑制发光二极管低频纹波电流的电路。

背景技术

具有较高功率因数(PF)的发光二极管(LED)驱动器，其输出功率随输入工频电压变化，从而导致其输出滤波输出电容上会存在工频的电压波动(即存在纹波)，由于LED的特性，较小的电压波动会导致电流上存在较大的电流波动，即LED的频闪。这种频闪并不会被肉眼所看到，但是在手机等设备拍摄下会看到明显的条纹波动。

随着LED技术的不断成熟，以及针对LED的要求不断提高，低频闪已经逐渐成为LED的基本要求。传统的LED低频闪方案，由于PF较低已经不能满足当前的市场要求。而高PF方案为了降低LED低频纹波电流，需要使用大体积、大容量的输出电容，使整个系统的成本大为增加；另一方面，电路体积大，无法适用于球泡、灯丝灯等小体积应用。

实用新型内容

鉴于以上所述的一个或多个问题，本申请提供了一种抑制LED低频纹波电流的电路。

根据本申请的实施例的一种用于抑制发光二极管LED低频纹波电流的电路，包括：整流电路，线性恒流电路，以及低频纹波抑制电路，其中，所述整流电路被配置为对交流电源输入进行整流以向线性恒流电路和低频纹波抑制电路提供经整流的直流输出；所述线性恒流电路被配置为与所述低频纹波抑制电路连接以向LED负载提供恒定电流；所述低频纹波抑制电路包括所述LED负载、包括金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的控制芯片、输出电容、二极管以及多个电阻，其中所述输出电容的一端与所述LED负载的正电压端连接，所述输出电容的另一端作为所述控制芯片的基准地并连接到分压网络的一端，所述分压网络的另一端连接到系统大地，所述MOSFET的源极连接到所述控制芯片的基准地，所述MOSFET的漏极与所述LED负载的阴极一起连接到所述线性恒流电路；其中所述控制芯片被配置为检测表征所述LED负载或所述输出电容两端的输出电压的输出表征电压，并且基于所述输出表征电压、第一基准电压、以及第二基准电压控制所述MOSFET的导通与截止。

在一个实施例中，所述输出表征电压是由所述分压网络对所述控制芯片的参考地与系统大地之间的电压进行分压得到的。

在一个实施例中，所述控制芯片还包括：第一比较器，用于对所述输出表征电压和所述第一基准电压进行比较以得到第一比较结果；第二比较器，用于对所述输出表征电压和所述第二基准电压进行比较以得到第二比较结果；逻辑控制组件，用于基于所述第一比较结果和第二比较结果控制所述内部MOSFET的导通与截止。

在一个实施例中，所述控制芯片还包括振荡器，所述控制芯片被配置为基于所述振荡器输出的频率和占空比控制所述MOSFET的导通与截止。

在一个实施例中，所述第一基准电压大于所述第二基准电压，所述逻辑控制组件被配置为：当所述输出表征电压增大到等于所述第二基准电压时，截止所述控制芯片的MOSFET，从而切断所述输出电容对所述LED负载的放电通路；当所述输出表征电压增大到等于第一基准电压时，导通所述控制芯片的MOSFET，从而导通所述输出电容对所述LED负载的放电通路；当所述输出表征电压再次增大到等于所述第二基准电压时，再次截止MOSFET。