[实用新型]一种用于抑制发光二极管低频纹波电流的电路

权利要求书

1.一种用于抑制发光二极管低频纹波电流的电路，包括：整流电路，线性恒流电路，以及低频纹波抑制电路，其中，

所述整流电路被配置为对交流电源输入进行整流以向线性恒流电路和低频纹波抑制电路提供经整流的直流输出；

所述线性恒流电路被配置为与所述低频纹波抑制电路连接以向LED负载提供恒定电流；

所述低频纹波抑制电路包括所述LED负载、包括金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的控制芯片、输出电容、二极管以及多个电阻，其中所述输出电容的一端与所述LED负载的正电压端连接，所述输出电容的另一端作为所述控制芯片的基准地并连接到分压网络的一端，所述分压网络的另一端连接到系统大地，所述MOSFET的源极连接到所述控制芯片的基准地，所述MOSFET的漏极与所述LED负载的阴极一起连接到所述线性恒流电路；

其中所述控制芯片被配置为检测表征所述LED负载或所述输出电容两端的输出电压的输出表征电压，并且基于所述输出表征电压、第一基准电压、以及第二基准电压控制所述MOSFET的导通与截止。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述输出表征电压是由所述分压网络对所述控制芯片的参考地与系统大地之间的电压进行分压得到的。

3.根据权利要求1所述的电路，其中，所述控制芯片还包括：

第一比较器，用于对所述输出表征电压和所述第一基准电压进行比较以得到第一比较结果；

第二比较器，用于对所述输出表征电压和所述第二基准电压进行比较以得到第二比较结果；

逻辑控制组件，用于基于所述第一比较结果和第二比较结果控制所述MOSFET的导通与截止。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的电路，其中，所述控制芯片还包括振荡器，所述控制芯片被配置为基于所述振荡器输出的频率和占空比控制所述MOSFET的导通与截止。

5.根据权利要求3所述的电路，其中所述第一基准电压大于所述第二基准电压，所述逻辑控制组件被配置为：

当所述输出表征电压增大到等于所述第二基准电压时，截止所述控制芯片的MOSFET，从而切断所述输出电容对所述LED负载的放电通路；当所述输出表征电压增大到等于第一基准电压时，导通所述控制芯片的MOSFET，从而导通所述输出电容对所述LED负载的放电通路；当所述输出表征电压再次增大到等于所述第二基准电压时，再次截止MOSFET。

6.根据权利要求4所述的电路，其中所述第一基准电压大于所述第二基准电压，所述逻辑控制组件被配置为：

当所述输出表征电压增大到等于所述第二基准电压时，截止所述控制芯片的MOSFET，从而切断所述输出电容对所述LED负载的放电通路；当所述输出表征电压增大到等于所述第一基准电压，按照所提供的放电频率和占空比配置所述MOSFET以使得所述输出电容对所述LED负载进行PWM脉冲放电；当所述输出表征电压低于第二基准电压时停止所述PWM脉冲放电，内部MOSFET导通，直至所述输出表征电压再次增大到等于所述第二基准电压。

7.根据权利要求1所述的电路，其中，所述线性恒流电路为非调光线性恒流电路。

8.根据权利要求1所述的电路，其中，所述线性恒流电路为TRIAC调光线性恒流电路。

9.根据权利要求1所述的电路，其中，所述整流电路为桥式整流电路。