[实用新型]一种波长可调的AlGaAs光电阴极

说明书

本实用新型是一种波长可调的AlGaAs光电阴极，包括由下至上依次同心设置的玻璃窗口、Si₃N₄增透层、缓冲层和若干片发射层，所述的若干片发射层由下至上直径依次减小，每层发射层的上表面覆盖有激活层，每层激活层表面均覆盖有可拆卸的遮光帽；其中缓冲层采用Al_xGa_1‑xAs均匀掺杂缓冲层；若干片发射层采用不同Al组分的Al_x’Ga_1‑x’As发射层，若干片发射层中Al组分x’值由下至上依次减小，x’值介于1~0之间，若干片发射层均采用均匀掺杂方式，各片发射层中的掺杂浓度由下至上依次减小；激活层采用Cs/O激活层；该种光电阴极配合合适数量和位置的遮光帽，根据使用场景的不同能够实现波长可调的效果。

技术领域

本实用新型是涉及光电阴极技术领域，具体的说是一种波长可调的AlGaAs光电阴极。

背景技术

目前国内外对负电子亲和势（negative electron affinity，简称NEA）光电阴极的研究都是致力于标准GaAs光电阴极、窄带响应GaAlAs光电阴极、紫外日盲响应GaN光电阴极、近红外InGaAs光电阴极等。项目组以近十几年来对NEA光电阴极的研究成果为基础，开展了AlGaAs光电阴极的研究，已经申请了发明专利《一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法》（申请号：CN201110202343.2）、《对532nm敏感的透射式GaAlAs光电阴极及其制备方法》（申请号：201110013841.2）和《532nm截止的反射式GaAlAs光电阴极及其制备方法》（申请号：201210094925.8）、《一种指数掺杂反射式GaAs光电阴极及其制备方法》（申请号：CN201310211048.2）、《基于对数掺杂变In组分反射式结构GaAs光电阴极》（申请号：CN201410010132.2）、《一种蓝延伸指数掺杂透射式GaAs光电阴极及其制备方法》（申请号：CN201410153219.5）等，以上各专利涉及不同结构的GaAs或AlGaAs光电阴极，但这些光电阴极都是针对特定应用下某一光谱响应范围的设计，只具有单一的发射层。

需要一种针对不同应用场合对光谱响应的要求不同提供一种波长可调的透射式AlGaAs光电阴极，根据使用场景的不同能够实现波长可调的效果。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种波长可调的AlGaAs光电阴极。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种波长可调的AlGaAs光电阴极，其特征是：包括由下至上依次同心设置的玻璃窗口、Si₃N₄增透层、缓冲层和若干片发射层，所述的若干片发射层由下至上直径依次减小，每层发射层的上表面露出区域均覆盖有激活层，所述的每层发射层均设置有与其对应的激活层，所述的激活层的端面的形状和尺寸与其对应的发射层的上表面露出区域的形状尺寸相同，每层激活层表面均覆盖有可拆卸的遮光帽；

所述的缓冲层采用Al_xGa_1-xAs均匀掺杂缓冲层；

所述的若干片发射层采用不同Al组分的Al_x’Ga_1-x’As发射层，若干片发射层中Al组分x’值由下至上依次减小，x’值介于1~0之间，若干片发射层均采用均匀掺杂方式，各片发射层中的掺杂浓度由下至上依次减小；

所述的激活层采用Cs/O激活层；