[实用新型]一种高压可控硅移相驱动电路

说明书

本实用新型公开了一种高压可控硅移相驱动电路。这种高压可控硅移相驱动电路克服了移相驱动电路工作要求电压高、体积大、适应面窄、热损耗大之缺陷，且具有体积小、移相范围宽,灵敏度高之特点；隔离光耦电路导通时，分压电路使两个光耦上的分压相等，以防两个光耦上的压降不等，限压电路保护导通瞬间两个光耦上的电压不超过规定电压,过流限流保护电路通过输出端电压产生一个流过光耦的电流驱动可控硅输出电路，不让电流超过光耦的上限，阻容滤波电路吸收可控硅关断时产生的浪涌电压，防止浪涌电压损坏可控硅；本实用新型不仅可作模块触发电路,更重要的是它可以与不同规格型号的单个可控硅相配套,电路结构简单,操作方便、安全可靠。

技术领域

本实用新型涉及电子电路和电气自动化技术领域，特别涉及一种高压可控硅移相驱动电路。

背景技术

电力电子技术是应用于电力领域的电子技术，是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。在单相整流电路中应用较多的是单相全控桥式移相整流电路，传统全控整流电路采用晶闸管为主器件，在大功率整流场合应用比较广泛。但是在某些小功率场合，采用晶闸管作为主器件的成本会比较高，研制周期长，结构比较复杂。

纵观诸多可控硅移相驱动电路,基本采用都是双基极管,且都是与相应的模块固定配套使用。而不同的生产过程控制要求又不同,往往是因难于找到相适应规格型号模块而不得不对控制电路进行修正,结果造成生产过程可控精确度降低,直接影响了产品性能。再经对其工作原理分析,可知双基极管工作时所需电压较高,安全性差;而作同步信号使用时,又不得不用限流电阻和稳压二极管组成削波电路,以增强其抗干扰能力,才可确保其输出信号的完好;若想获得较宽幅度的梯形波,又不得不采用较高电压的同步变压器(60—70V)和大功率的限流电阻。其结果造成电路体积庞大,热损耗增加;同时,因工作时所需电压较高,给电路的操作带来不便。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种克服了移相驱动电路工作要求电压高、体积大、适应面窄、热损耗大之缺陷，且具有体积小、移相范围宽,灵敏度高之特点的高压可控硅移相驱动电路。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种高压可控硅移相驱动电路，包括限流输入电路，光耦隔离电路，分压电路，限压电路，过流限流保护电路，阻容滤波电路和可控硅输出电路；

其中，所述限流输入电路经电阻R1与所述光耦隔离电路电连接，所述光耦隔离电路的输出端一端经电阻R2和R3电连接所述分压电路的输入端，所述光耦隔离电路的输出端另一端经双向瞬间抑制二极管ZD1和双向瞬间抑制二极管ZD2电连接所述限压电路的输入端，所述分压电路的输出端经电阻R4电连接所述过流限流保护电路的输出端OUTA，所述限压电路的输出端经热敏电阻Rt1与所述双向可控硅TR1的控制端电连接，所述过流限流保护电路的输出端通过电容C1和电阻R4与所述阻容滤波电路的输出端电连接，所述阻容滤波电路通过电阻R5和电容C2连接所述可控硅输出电路。

上述的高压可控硅移相驱动电路，所述限流输入电路包括电源VCC，所述电源VCC经电阻R1电连接非过零触发输出光耦U1的输入端1及非过零触发输出光耦U2的信号输入端IN

上述的高压可控硅移相驱动电路，所述非过零触发输出光耦U1的输出端4电连接所述非过零触发输出光耦U2的输出端6，所述非过零触发输出光耦U1的输入端端2电连接所述非过零触发输出光耦U2的输入端1。

上述的高压可控硅移相驱动电路，所述非过零触发输出光耦U1的输出端4和输出端6之间并联有电阻R2，所述非过零触发输出光耦U2的输出端4和输出端6之间并联有电阻R3。

上述的高压可控硅移相驱动电路，所述非过零触发输出光耦U1的输出端4和输出端6之间并联有双向瞬间抑制二极管ZD1，所述非过零触发输出光耦U2的输出端4和输出端6之间并联有双向瞬间抑制二极管ZD2。