[实用新型]一种高压可控硅移相驱动电路

权利要求书

1.一种高压可控硅移相驱动电路，其特征是：包括限流输入电路（1），光耦隔离电路（2），分压电路（3），限压电路（4），过流限流保护电路（5），阻容滤波电路（6）和可控硅输出电路（7）；

其中，所述限流输入电路（1）经电阻R1与所述光耦隔离电路（2）电连接，所述光耦隔离电路（2）的输出端一端经电阻R2和R3电连接所述分压电路（3）的输入端，所述光耦隔离电路（2）的输出端另一端经双向瞬间抑制二极管ZD1和双向瞬间抑制二极管ZD2电连接所述限压电路（4）的输入端，所述分压电路（3）的输出端经电阻R4电连接所述过流限流保护电路（5）的输出端OUTA，所述限压电路（4）的输出端经热敏电阻Rt1与所述双向可控硅TR1的控制端电连接，所述过流限流保护电路（5）的输出端通过电容C1和电阻R4与所述阻容滤波电路（6）的输出端电连接，所述阻容滤波电路（6）通过电阻R5和电容C2连接所述可控硅输出电路（7）。

2.根据权利要求1所述的一种高压可控硅移相驱动电路，其特征是：所述限流输入电路（1）包括电源VCC，所述电源VCC经电阻R1电连接非过零触发输出光耦U1的输入端1及非过零触发输出光耦U2的信号输入端IN。

3.根据权利要求2所述的一种高压可控硅移相驱动电路，其特征是：所述非过零触发输出光耦U1的输出端4电连接所述非过零触发输出光耦U2的输出端6，所述非过零触发输出光耦U1的输入端端2电连接所述非过零触发输出光耦U2的输入端1。

4.根据权利要求3所述的一种高压可控硅移相驱动电路，其特征是：所述非过零触发输出光耦U1的输出端4和输出端6之间并联有电阻R2，所述非过零触发输出光耦U2的输出端4和输出端6之间并联有电阻R3。

5.根据权利要求4所述的一种高压可控硅移相驱动电路，其特征是：所述非过零触发输出光耦U1的输出端4和输出端6之间并联有双向瞬间抑制二极管ZD1，所述非过零触发输出光耦U2的输出端4和输出端6之间并联有双向瞬间抑制二极管ZD2。

6.根据权利要求5所述的一种高压可控硅移相驱动电路，其特征是：所述过流限流保护电路（5）包括输出端OUTA，所述输出端OUTA通过电阻R4电连接所述非过零触发输出光耦U1的输出端6，所述非过零触发输出光耦U2的输出端4经热敏电阻Rt1与双向可控硅TR1的控制极G极相连。

7.根据权利要求6所述的一种高压可控硅移相驱动电路，其特征是：所述阻容滤波电路（6）包括输出端OUTB，所述输出端OUTA和OUTB之间通过电容C1和电阻R4相连。

8.根据权利要求7所述的一种高压可控硅移相驱动电路，其特征是：所述双向可控硅TR1的控制极G极和电极T1极之间并联有电阻R5和电容C2，所述电极T1极接所述输出端OUTB。

9.根据权利要求8所述的一种高压可控硅移相驱动电路，其特征是：所述非过零触发输出光耦U1和非过零触发输出光耦U2为MOC3052光耦，所述双向瞬间抑制二极管ZD1和ZD2为P6KE400CA的双向瞬间抑制二极管，所述热敏电阻为MZ23的热敏电阻，所述双向可控硅为耐压1200V电流100A的可控硅。