[实用新型]阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201920094767.3 | 申请日: | 2019-01-21 |
公开(公告)号: | CN209119103U | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 先建波;程鸿飞;马永达;乔勇;吴新银 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100176 北京市北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空置区 像素区 本实用新型 第二电极 第一电极 显示区 显示装置 阵列基板 冗余区 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括显示区与该显示区相邻的冗余区,所述显示区包括多个第一像素区,所述冗余区包括多个第二像素区;所述第一像素区包括:设置有第一电极的第一电极区和位于该第一电极区之外的第一空置区;所述第二像素区包括:设置有第二电极的第二电极区和位于该第二电极区之外的第二空置区;至少部分所述第二空置区的面积大于所述第一空置区的面积。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,至少部分所述第二空置区与所述第一空置区的面积之差为所述第一空置区面积的5%~40%。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,至少部分所述第二空置区与所述第二像素区的面积占比大于所述第一空置区与所述第一像素区的面积占比。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,至少部分所述第二空置区与所述第二像素区的面积占比为所述第一空置区与所述第一像素区的面积占比的1.5~9倍。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一空置区包括多个狭缝,至少一个狭缝的宽度小于所述第二空置区的宽度。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,不同的第一电极之间相互间隔;
或者,所述显示区中的多个第一电极分为多组,每组包括多个第一电极,同一组中的第一电极彼此相连,不同组的第一电极之间绝缘间隔;
或者,所有第一电极连接为一体。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所有的第二电极与所有的第一电极连接为一体结构。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素区的面积为所述第二像素区面积的1.5~3倍。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述显示区包括多行和多列所述第一像素区;
所述显示区沿行方向的两侧中的至少一侧设置有多列所述第二像素区;和/或,所述显示区沿列方向的两侧中的至少一侧设置有多行所述第二像素区。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,在位于显示区同一侧的任意两个所述第二像素区中,远离所述显示区的第二像素区中的第二空置区的面积大于或等于靠近所述显示区的第二像素区中的第二空置区的面积。
11.根据权利要求1至10中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极为公共电极,
所述第一像素区中还设置有第一薄膜晶体管和第一像素电极,所述第二像素区中设置有第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均设置在衬底上,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管背离所述衬底的一侧设置有钝化层;所述第一电极和所述第一像素电极均设置在所述钝化层背离衬底的一侧;所述第一像素电极与所述第一薄膜晶体管的漏极电连接。
12.根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的漏极在所述衬底上的正投影与所述第一空置区在所述衬底上的正投影存在第一交叠区,所述第二薄膜晶体管的漏极在所述衬底上的正投影与所述第二空置区在所述衬底上的正投影存在第二交叠区,所述第二交叠区的面积大于或等于所述第一交叠区的面积。
13.根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层上设置有与所述第一薄膜晶体管的漏极对应的第一过孔,所述第一像素电极通过所述第一过孔与所述第一薄膜晶体管的漏极相连;所述钝化层上设置有与所述第二薄膜晶体管的漏极对应的第二过孔;
所述第一过孔在所述衬底上的投影与所述第一空置区在所述衬底上的正投影形成第三交叠区,所述第二过孔在所述衬底上的投影与所述第二空置区在所述衬底上的正投影形成第四交叠区;第四交叠区的面积大于或等于第三交叠区的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的