[发明专利]含氮化合物、电子元件和电子装置

说明书

本申请提供了一种化学式I所示的含氮化合物、电子元件和电子装置，属于有机材料技术领域。该含氮化合物能够改善电子元件的性能。其中，表示化学键；R₁和R₂分别独立地选自氢、化学式1‑1所示的基团，且R₁和R₂有且只有一个为化学式1‑1所示的基团，当R₁或R₂选自氢时，选自氢的所述R₁或R₂能被R₄取代。

技术领域

本申请涉及有机材料技术领域，尤其涉及一种含氮化合物、应用该含氮化合物的电子元件和应用该电子元件的电子装置。

背景技术

随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。该类电子元器件通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。

举例而言，当电子元件为有机电致发光器件时，其一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的电致发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向电致发光层移动，阳极侧的空穴也向发光层移动，电子和空穴在电致发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得电致发光层对外发光。为了提高实现电致发光或者光电转化的电子元器件的性能，在能量转化层和空穴传输层之间还可以设置有电子阻挡层。

在实现电致发光或者光电转化的电子元器件中，位于阳极和能量转化层之间的膜层的空穴传输性能，对电子元器件的性能具有重要的影响。如中国专利公开CN201710407382.3等专利文献中的记载，含有芴基团的化合物可以用于空穴传输层。然而，现有的含有芴基团的空穴传输层材料，其性能有待进一步地提高。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请的目的在于提供一种含氮化合物、电子元件和电子装置，以改善电子元件和电子装置的性能。

为实现上述发明目的，本申请采用如下技术方案：

根据本申请的第一个方面，提供一种含氮化合物，所述含氮化合物的结构如化学式1所示：

其中，表示化学键；

R₁和R₂分别独立地选自氢、化学式1-1所示的基团，且R₁和R₂有且只有一个为化学式1-1所示的基团，当R₁或R₂选自氢时，选自氢的所述R₁或R₂能被R₄取代；

R₃、R₄分别独立地选自氘、卤素、氰基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为8～12的芳基甲硅烷基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为2～6的烯基、碳原子数为2～6的炔基、碳原子数为3～20的环烷基、碳原子数为2～10的杂环烷基、碳原子数为5～10的环烯基、碳原子数为4～10的杂环烯基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为6～18的芳氧基、碳原子数为6～18的芳硫基、碳原子数为6～18的磷氧基；

a选自0，1，2，3或4，当a大于等于2时，任意两个R₃相同或不同；

b选自0，1，2或3，当b大于等于2时，任意两个R₄相同或不同；