[发明专利]复合材料及其制备方法、发光薄膜和显示器件在审
申请号: | 201911406743.8 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113122227A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 叶炜浩 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/56;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张杨梅 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合材料 及其 制备 方法 发光 薄膜 显示 器件 | ||
1.一种复合材料,其特征在于,包括:介孔氧化物材料和量子点,所述介孔氧化物材料具有褶皱结构,所述量子点附着于所述褶皱结构上。
2.根据权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述介孔氧化物材料和所述量子点的质量比为(2-4):(1-2);和/或
所述褶皱结构呈放射状。
3.根据权利要求1或2所述的复合材料,其特征在于,所述介孔氧化物材料选自介孔二氧化硅、介孔二氧化钛、介孔氧化铝和介孔氧化锆中的至少一种;和/或
所述量子点选自IV族半导体材料、II-VI族半导体材料、II-V族半导体材料、III-V族半导体材料、III-VI族半导体材料、IV-VI族半导体材料、I-III-VI族半导体材料、II-IV-VI族半导体材料和II-IV-V族半导体材料中的至少一种。
4.一种复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供介孔氧化物材料、量子点和有机溶剂,所述介孔氧化物材料具有褶皱结构;
将所述介孔氧化物材料和所述量子点分散于所述有机溶剂中,进行加热,使得所述量子点附着于所述介孔氧化物材料的褶皱结构上。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,进行加热的步骤中,加热温度为65-80℃,加热时间为3-8小时;和/或
所述褶皱结构呈放射状。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括制备具有褶皱结构的介孔氧化物材料的步骤,制备具有褶皱结构的介孔氧化物材料的步骤包括:
将模板剂和尿素溶解在水中并加入挥发性溶剂,得到混合液;
将所述混合液与所述介孔氧化物前驱体进行混合,进行加热,得到具有褶皱结构的介孔氧化物材料。
7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,进行加热的步骤之后,挥发去除所述有机溶剂。
8.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述介孔氧化物材料和所述量子点的质量比为(2-4):(1-2);和/或
所述介孔氧化物材料和所述有机溶剂的质量体积比为(50-100)mg:(5-10)mL。
9.根据权利要求4至8任一项所述的制备方法,其特征在于,所述介孔氧化物材料选自介孔二氧化硅、介孔二氧化钛、介孔氧化铝和介孔氧化锆中的至少一种;和/或
所述量子点选自IV族半导体材料、II-VI族半导体材料、II-V族半导体材料、III-V族半导体材料、III-VI族半导体材料、IV-VI族半导体材料、I-III-VI族半导体材料、II-IV-VI族半导体材料和II-IV-V族半导体材料中的至少一种。
10.根据权利要求4至8任一项所述的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂选自正己烷、环己烷、异丙醇、氯仿和乙酸乙酯中的至少一种。
11.一种发光薄膜,其特征在于,所述发光薄膜的材料包括:权利要求1至3任一项所述的复合材料,或权利要求4至10任一项所述的制备方法制得的复合材料。
12.根据权利要求11所述的发光薄膜,其特征在于,所述发光薄膜的材料还包括:基质,所述复合材料分散在所述基质中。
13.根据权利要求12所述的发光薄膜,其特征在于,所述基质为聚合物;
所述聚合物包括聚乙烯肉桂酸树脂、聚苯乙烯共N-(P-羟基苯基)马来酰亚胺、聚N-苯基甲基丙烯酰胺共N-(P-羟基苯基)马来酰亚胺、聚氟代磺酸乙烯和聚4-(六氟-2-羟丙基)-苯乙烯、乙烯醚-马来酸酐共聚物和环烯烃-马来酸酐共聚物中的至少一种。
14.一种显示器件,其特征在于,包括:权利要求11至13任一项所述的发光薄膜。
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